S27KS0642 64Mbit HYPERRAM™器件是一种高速CMOS，自刷新DRAM，具有xSPI (Octal)接口。DRAM阵列使用需要定期刷新的动态单元。当内存没有被xSPI接口主(主机)主动读写时，设备内的刷新控制逻辑管理DRAM阵列上的刷新操作。由于主机不需要管理任何刷新操作，因此在主机看来，DRAM阵列似乎使用静态单元来保留数据而不进行刷新。因此，将内存更准确地描述为伪静态RAM (PSRAM)。
这些低功率、高性能、低引脚数pSRAM适用于需要额外的RAM来缓冲数据、音频、图像和视频等的应用，或者需要扩展存储器用作便笺式存储器，以进行数据密集型计算的应用。
关键特性：
• 外形小巧 – FBGA封装确保了较小的占板空间
• 低引脚数 – 低引脚数有助于简化设计并降低系统成本
• 低功耗 – 混合睡眠模式和部分阵列刷新可提高能效
• 高吞吐量 – 高读/写带宽能最大限度地提高系统性能
HYPERRAM具有高吞吐量、低引脚数、外形小巧和高能效等优点，这使它成为适用于汽车、工业和通信领域的众多应用的扩展存储理想之选。
64Mbit S27KS0642GABHV023/S27KS0642GABHI033、S27KS0642GABHB020 伪静态随机存储器(PSRAM)-HyperRAM — 明佳达
S27KS0642GABHV023 规格：
存储器类型：易失
存储器格式：PSRAM
技术：PSRAM（伪 SRAM）
存储容量：64Mbit
存储器组织：8M x 8
存储器接口：HyperBus
时钟频率：200 MHz
写周期时间 - 字，页：35ns
访问时间：35 ns
电压 - 供电：1.7V ~ 2V
工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：24-VBGA
供应商器件封装：24-FBGA（6x8）
基本产品编号：S27KS0642
S27KS0642GABHI033 参数：
存储器类型：易失
存储器格式：PSRAM
技术：PSRAM（伪 SRAM）
存储容量：64Mbit
存储器组织：8M x 8
存储器接口：HyperBus
时钟频率：200 MHz
写周期时间 - 字，页：35ns
访问时间：35 ns
电压 - 供电：1.7V ~ 2V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：24-VBGA
供应商器件封装：24-FBGA（6x8）
S27KS0642GABHB020 规格：
存储器类型：易失
存储器格式：PSRAM
技术：PSRAM（伪 SRAM）
存储容量：64Mbit
存储器组织：8M x 8
存储器接口：HyperBus
时钟频率：200 MHz
写周期时间 - 字，页：35ns
访问时间：35 ns
电压 - 供电：1.7V ~ 2V
工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：24-VBGA
供应商器件封装：24-FBGA（6x8）
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