多模块存储器

多模块存储器

为了加快主存的访问速度，可以对主存的结构进行一些调整。

一、单体多字存储器

| w位 | w位 | w位 | w位 |

将原来只存放w位的存储芯片，组合成4w位，这样，就可以一次取出4w位，带宽增大了。但是这种方法必须要求指令与数据连续存放，一旦遇到转移指令，或者操作数不能连续存放，这种方法效果就不明显了。
缺点：由于单体多字存储器必须凑齐4个数据字才能作为一个存储字一次写入存储器，因此需要先把一个属于存储字的4个数据字读到数据寄存器中，等数据寄存器达到一个存储字的长度，再将其写入存储器中。

二、多体并行存储器
采用多个模块组成的存储器，每个模块有着相同的容量和存取速度，各模块都有独立的地址寄存器、数据寄存器、地址译码器和读写电路。每个模块可以看成一个独立的存储器。

多体并行存储器分为：高位交叉编址和低位交叉编址

1.高位交叉编址

这里体号在高位，低位为体内地址。由于每个模块体内的地址连续，以称为顺序存储。按这种方式，可以在同一时间不同的请求源访问不同的存储体。
缺点：受到带宽的限制。

2.低位交叉编址

这里体号在低位，高位为体内地址。
对连续字的成块传送，低位交叉编址的多体存储器可以实现多模块流水线式并行存取，大大提高存储器的带宽。