随着SOC 技术的迅猛发展，由电池供电的便携式电子产品得到了广泛应用，如智能手机、运动手环、ipad、部分汽车电子等。近年来半导体工艺已进入深亚微米甚至纳米阶段，工艺尺寸不断缩小，但是由于电池技术的缓慢发展以及芯片散热技术的不完善等导致功耗成为SOC 急需要解决的重要问题。而静态随机存储器SRAM 是SOC 的重要组成部分，且其占芯片总面积的比例越来越大。而芯片功耗大小直接影响到电池的使用寿命。
低功耗SRAM的功耗来源主要包括三部分：动态功耗、静态功耗、短路功耗，功耗与电源电压有着直接的关系，动态功耗与电源电压成二次方关系，静态功耗和短路功耗与电源电压成一次方关系，因此降低电源电压能够给SRAM 带来大幅度的功耗降低。由于传统的6管存储单元在电源电压降低时会出现可靠性变差、写能力不足、甚至读写错误的缺陷，新型10 管存储单元，独特的电路结构决定了它可以工作在低电源电压下。为了说明存储单元的性能优越