仿真一(构建电路和可视化)：直流运行的单点观测（DC operating point）

在Multisim14界面中找到器件
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选择器件后构建电路。

构建的方法非常简明，只需要点击OK挪动元件到指定位置。
用鼠标点击线端即可引线和连线。

连好一个简单的电路后开始仿真。
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选中需要观测的点。

注意在使用之前，最好打开所有的区间名称。以便对(看似的)未命名区段进行说明，这很重要：
按Ctrl+M,，进入properties设置模块。

在这个模式下运行，我们所有的结果都相当于以虚拟万用表值的形式列表呈现。
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仿真二(模拟仪表的使用)：利用万用表和仿真电流钳进行电路测定

侧边栏选取multimeter和current clamp，连入电路。
在Interactive Simulation模式下进行仿真。
仿真实验二

思考：为什么利用电流钳的那一路能测出微小电流？

进入DC Sweep模式

注意Multisim14的UI和之前的可能有所不同。先前的UI可能为下拉菜单而非单独页面。

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设置参数扫描的元件，并设置起始值终止值和步长。

并设置观测值。操作类似operating point

点击run开始仿真。可以设置显示网格(grid)，图例(legend)，游标(cursor)
图中1为图例，2为游标，用于动态确定某一个参数的值；3为确定参数之后的观测变量。（这些功能真是优美orz）
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通过游标滑动可以看出斜率为正且单调减。所以认定随着控制电压的增大，MOSFET的等效电阻在减小（这个减小并不是线性的，而是类似 $\frac{1}{x}$ 的变化）。这使得其内部的电流呈大概的线性增加（这个线性的增加逐渐趋缓）。这个区乘坐MOSFET的电阻区

注意其中添加电流观测值的时候，要选用Add expression模式添加‘-’号。
否则通过MOSFET的电流是关于 $I_{SD}$ 的一条在 $x$ 轴之下的曲线。

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当电压源V2继续增大时，可以看到明显的饱和区。甚至最终还有击穿区，这在微电子概论(2)中已经讨论过。如图

构建V1、V2共同变化的DC扫描，
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可以作出一族曲线。
为了可以看清彩色，我们把背景换成白色。（操作按钮在show cursor旁）

从中可以看出 $U_{GS}$ 对电流的效应是非线性的，前五条都重合在一起。

参数扫描的功能，给了我们一个研究电路元件的好方法。