开启攻城狮的成长之旅！这是我参与的由 CSDN博客专家 架构师李肯（http://yyds.recan-li.cn）和 瑞萨MCU （瑞萨电子 (Renesas Electronics Corporation) ） 联合发起的「 致敬未来的攻城狮计划 」，点击查看活动计划详情 （https://bbs.csdn.net/topics/613916237）！
37.1. 概述
MCU提供高达256kb的代码闪存和8kb的数据闪存。Flash控制块(FCB)控制编程命令。
代码闪存和数据闪存的规格如表37.1所示，框图如图37.1所示
的相关模块。图37.2显示了代码闪存的配置，图37.3显示了
数据闪存的配置
Code Flash 和 Data Falsh说明
Code Flash(即Nor Flash) 和 Data Falsh(即NAND Flash) 说明。这里为了大家容易理解， 瑞萨用例 Code Flash 和 Data Flash 的说法， 更正规的说法是 Nor Flash 和 NAND Flash。 Nor Flash 可以存Code, Code 可以在片内执行，也可以存Data。 而NAND Flash 主要用来存Data.
想多了解些可阅读： NOR Flash 和 NAND Flash 闪存详解_norflash和nandflash_元存储的博客-CSDN博客
Flash 模块相关结构图
37.2 内存结构
图37.2显示了Nor Flash的映射，表37.2显示了读取、编程和擦除(P/E)地址的代码闪存。代码闪存的用户区被划分为很多的2KB块，擦除的单位是块（2KB）。用户区可用于存储的用户程序和配置.
图 37.2 Nor Flash mapping 映射
表37.2 Nor Flash读取地址 和 PE 地址
表37.3为 NAND Flash读取、编程和擦除(P/E)的地址。
数据闪存的数据区被划分为1kb的块，每个块作为一个擦除的单位。
Table 37.3 Read and P/E addresses of the data flash memory
