以51单片机为例，计算12M晶振旁路电容需要多大？

1.电容计算方法

计算公式：晶振的负载电容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C；式中Cd、Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容；Cic（集成电路内部电容）；△C（PCB上电容）一般为3至5pf。

1、匹配电容：负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。

2、负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。它是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。

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2.电容计算

此次计算为11.0592M晶振，查看规格书如下：

晶体元件的负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容，是晶振要正常震荡所需要的电容。此电容的大小主要影响 负载谐振频率 和 等效负载谐振电阻。这个是晶振本身参数，不是外接的谐振电容。一般数据手册上都会写出来，上图中为“CL”。

一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高。

公式中Cd、Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般应用中 Cd=Cg；为了保持晶体的负载平衡，在实际应用中，一般要求CG=CD

CS（集成电路内部电容）；及上图中的分路电容C0（shunt capacitance）

公式中CG=CD，此器件此器件CS最大取7pf,CL1=20pF则上述公式可得下面的结果：

CG = CD = （CL-CS）X 2

CG = CD =（20-7）X 2 >= 26pf

根据CG的组成部分，可以得到：

CG=Ci+CPCB+CL1=22.4pf

所以，CG = CD最小取26pf。

Ci—— 需加外晶振主芯片管脚芯到GND的寄生电容 Ci，即上图中的C1参数，取值3.7pf

CPCB—— PCB上电容一般为3至5pf。

通常选择30pf。

其他晶振计算，如32.768K晶振，用于时钟的，计算旁路电容为15pf。