贴片电容
如同如所示，MLCC（Multi-layer Ceramic Capacitors），外形很好区分。
实际内部结构
使用的还是平行板电容器原理，只是这个是叠层结构；电解电容是卷起来的圆柱状；
容值：
叠层电容范围：0.00001UF到100UF；一般是这么大，具体的看每个厂家设计。
尺寸/封装：
0402,0603,0805,1206,1210,1810,1812,2010,2512，2220
上面标注的尺寸是所有的贴片电容封装尺寸，对于常见的消费类电子产品，其实正常或者常见的封装
尺寸如下几种：
0402,0603,0805,1206，为什么呢，为了便于携带，电子产品越来越小型化，而对应的PCB板以及PCBA板确实是寸土寸金，所以一般用到前面几种，最常用的也就是0402、0603、0805，所以在选择时，不要想当然，说你要多少容量的什么封装的，毕竟封装和容值在电容封装规范里面是有规定的
（比如说，你要一个0402封装的电容，还非要是100uf，对于瓷片电容来说，那就是异想天开了）。
如下图：为封装尺寸说明，英尺对应的mm（注意inch和mm之间的差异）
注意：0603inch和0603mm之间的差异。
电容的精度：
这个指的是容值的误差，一般容值越小，精度会越高一点。
电容的精度，容量越小，精度相对来讲越高。（比如你要求10pF的电容），给你精度20%，你试试，10pF的立马缩水成8pF，显然不行的。特别是对于CPU晶振的负载电容，要求精度高，不然会产生频偏问题。（还有射频电路相关的电路应用上，在此不多说）。
电容的耐压值：
常见的耐压值如上图，且这个耐压值是厂商定的，一般的实际正常耐压值要大于这个值。就像你用20V的电压加在10V耐压电容上，其实电容也不一定会很快坏掉。但是比如电容耐压是10V，那么工作在5V和7.2V的电路里面，电容实际容值是存在差异的。
电容的厚度/高度：
各厂商可能不一致，厚度会影响消费类电子的体积大小，就像你要把手机做薄一些，你用很厚的电容当然不行，根据产品类型，只能选择薄、小封装的电容。
也是值得注意的一点，在有些产品类型里面，电容高度及排布有时也会影响到自然冷却时的空气自然对流风路。
电容封装引线；
如上图为电容封装引脚引线，有银的、铜的或者电镀的，便宜和贵明眼人一下就看的出。但是哪种类型的，取决于对于可靠性的要求。这个材质会影响电容的寄生参数，在高频下还是影响比较大的。
注意封装耐压和容量的关系；
这个很好理解，就是容量做大，必须要体积大或者电容平行极板的距离小；但是距离小了，耐压值其实就不能做到很大，就是存在制约关系。
且实际的生产工艺也不允许，MLCC是由一层一层压制而成的，一定体积下容纳的层数也是一定的，太近的话，容量可以，但是耐压值不够。
温度对电容的影响
温度特性
按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成两类：
I类超稳定级 – 为C0G或NP0 （注意是零不是哦），对应国标CC系列。
II类稳定级的 – 为X7R或X5R；II类能用级的介质材料Y5V、Z5U，对应国标CT。
I类电容
1.温度补偿特性的单片陶瓷电容器（介电常数为几百）
EIA（美国电子工业协会）标准采用“字母+数字+字母” 这种代码形式来表示Ⅰ类陶瓷温度系数，如C0G，注意中间是“零”，大家常见写成COG；NP0（Negative-Positive-Zero）IEC（国际电工委员会）标准；
C0G（C 表示电容温度系数的有效数字为 0 ppm/℃；0 表示有效数字的倍乘因数为 -1（即10的0次方）；G 表示随温度变化的容差为 ±30ppm）。
其他的组合只是不常见，但是具体可以根据下图来自行计算：
依据上表计算下来，C0G电容最终的TCC为：0×（-1）ppm/℃±30ppm/℃。而相应的其他Ⅰ类陶瓷的温度系数，例如U2J电容，计算下来则为：-750 ppm/℃±120 ppm/℃。
如上图所示及该材质电容的特性：温度特性平稳，容值小，价格高，常用于谐振回路。
这类电容容量大多数在1000pF以下，该类电容的主要低功耗性能指标是损耗角正切值tanφ（DF值），常见的该种电容的精度一般在10%以及以下:
NP0是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器，它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的；在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
所以这些常见的用在是射频电路里面：WIFI模块及外围电路；BT电路模组及外围电路；GPS模组及外围电路等射频调制电路。因为这些模块较容易发热，温度升高，容量变化较大会影响电路性能，所以使用温度补偿型电容，在一定温度范围内，容值稳定，电性能基本不变。
II类电容
1.温度稳定型的陶瓷电容器（稳定级）
X7R温度范围：-55–125℃
X5R温度范围：-55–85℃
介电常数大，容量比较高，容量变化受温度影响。常用于电源滤波等；
区别主要还在于温度范围和容值随温度的变化特性上。下表提示了这些代号的含义。
以X7R为例（X 代表电容最低可工作在 -55℃；7 代表电容最高可工作在 +125℃；R 代表容值随温度的变化为 ±15%）
同样的，Y5V正常工作温度范围在-30℃～+85℃, 对应的电容容量变化为+22～-82%；而Z5U 正常工作温度范围在+10℃～+85℃，对应的电容容量变化为+22～-56%。
容值在1000pF以上，该类电容在低功耗时主要性能是等效串联电阻ESR，X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化
而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
2.温度限制的通用电容器（可用型）
Y5V
温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达22%到-82%。
便宜精度不高的电路，低成本的。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器
Z5U
在10-85℃的范围内，电容的容量变化范围可以达到22%到-56%。
温度特性大、容值大、成本低。
尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。
如下为几种常见的电容容值随着温度变化曲线：
以上描述电容，一般建议使用的温度范围；
电容的实际模型
常用模型
电容器的等效串联电阻是由电容器的引脚电阻与电容器两个极板的等效电阻相串联构成的。电容器的等效串联电感是由电容器的引脚电感与电容器两个极板的等效电感串联构成的。
TDK官方有相关的电压耐压曲线、阻抗曲线等，可以关注下；
https://product.tdk.com/info/en/technicalsupport/seat/download.html
附带一份规格书：
http://fenghua.com/pdf/mlcc/MLCC-Y5V.pdf
资料来自于互联网，不用于商业用途。