记忆单元/存储基元/存储元/位元/Cell，是具有两种稳态的能够表示二进制数码0和1的物理器件。
具有相同地址的位构成一个存储单元，也称为一个编址单位
编址方式有字节编址、按字编址，是ISA规定的
存储器地址寄存器（Memory Address Register - MAR）用于存放主存单元地址的寄存器
存储器数据寄存器（ Memory Data Register-MDR(或MBR) ）用于存放主存单元中的数据的寄存器
按工作性质/存取方式分类
- 随机存取存储器 Random Access Memory (RAM)
每个单元读写时间一样，且与各单元所在位置无关。如：内存。
PS：原意主要强调地址译码时间相同。现在的DRAM芯片采用行缓冲，因而可能因为位置不同而使访问时间有所差别。
- 顺序存取存储器 Sequential Access Memory (SAM)
数据按顺序从存储载体的始端读出或写入，因而存取时间的长短与信息所在位置有关。例如：磁带。
- 直接存取存储器 Direct Access Memory(DAM)
直接定位到读写数据块，在读写数据块时按顺序进行。如磁盘。
- 相联存储器 Associate Memory（AM）
按内容访问存储器 Content Addressed Memory (CAM)
按内容检索到存储位置进行读写。例如：快表。
相同单元字线连在一起
地址译码器的输入是地址，输出是地址驱动信号（只有一根地址驱动线被选中），可寻址范围为主存地址空间。
编址单位是指具有相同地址的位元构成的单位。编址方式一般为按字节编址。
指令执行过程中需要访间主存时，CPU首先把需访问单元的地址送到主存地址寄存器(Memory Address Register, 简称MAR)中， 然后通过地址线将主存地址送到主存中的地址寄存器， 以便地址译码器进行译码后选中相应单元， 同时，CPU将读／写控制信号通 过控制线送到主存的读写控制电路。 如果是写操作，CPU同时将要写的信息送主存数据寄存器 (Memory Data Register, 简称MDR)中， 在读写控制电路的控制下， 经数据线将信息写入选中的单元；如果是读操作， 则主存读出选中单元的内容送数据线， 然后送到MDR中。数据线的宽度与MDR的宽度相同， 地址线的宽度与MAR的宽度相同。 图中采用64位数据线， 因此， 在字节编址方式下， 每次最多可以存取8个字节的内容。 地址线的位数决定了主存地址空间的最大可寻址范围， 例如， 36 位地址的最大可寻址范围为 0 ~ 2^36 -1 。
Flash：
Flash存储器也称为闪存， 是高密度非易失性读写存储器， 它兼有RAM和ROM的优点， 而且功耗低、 集成度高， 不需后备电源。 这种器件可在计算机内进行擦除和编程写入， 因此又称快擦型电可擦除重编程ROM。
目前被广泛使用的U盘和存储卡等都属于Flash存储器， 也用于存放BIOS。
SRAM：
SRAM中数据保存在一对正负反馈门电路中，只要供电，数据就一直保持，不是破环性读出，无需刷新和读后再生。
保持时：字线为0（低电平）
写入时：位线上是被写入的二进位信息0或1；置字线为1；存储单元(触发器)按位线的状态设置成0或1
读出时：置2个位线为高电平；置字线为1 ；存储单元状态不同，位线的输出不同
DRAM：
读写原理：字线上加高电平，使T管导通。
写“0”时，数据线加低电平，使CS上电荷对数据线放电；写“1”时，数据线加高电平，使数据线 对CS充电；
读出时，数据线上有一读出电压。它与CS上电荷量成正比。
优点：电路元件少，功耗小，集成度高，用于构建主存储器
缺点：速度慢、是破坏性读出（需读后再生）、需定时刷新
PS：DRAM的一个重要特点是，数据以电荷的形式保存在电容中，电容的放电使得电荷通常只能维持几十个毫秒左右，相当于1M个时钟周期左右，因此要定期进行刷新（读出后重新写回），按行进行（所有芯片中的同一行一起进行），刷新操作所需时间通常只占1%~2%左右。
字片式存储体阵列组织：
一般SRAM为字片式芯片，只在x向上译码，同时读出字线上所有位！
位片式存储体阵列组织：
位片式在字方向和位方向扩充，需要有片选信号
DRAM芯片都是位片式
典型的16M位DRAM：
16M位 = 4Mbx4 = 2048x2048x4 = 2^11x2^11x4
4位一编址
(1) 地址线：11根线行地址列地址分时复用，由RAS（行地址选通）和CAS（列地址选通）提供控制时序。被选中的行中的所有列进入行缓冲（用SRAM实现）中，再由列地址选出其中一列（共4个2进制位）输出。
选中的
超元（supercell）有4位，需4根数据引脚。
主存地址高位选片时，芯片内地址是连续的，这样读得慢，无法同时读写多个芯片；
现在的内存条都是交叉编址方式（同一行不同列地址不连续，间隔=芯片数），所有芯片同时读和传送。选片号其实用不着，因为每次读最少一个block。
每加一根地址线，则行地址和列地址各增加一位，所以行数和列数各增加一倍。因而容量至少提高到4倍。
行数应尽量小以减少刷新次数；最好行列数相等。
(2) 需4个位平面，对相同行、列交叉点的4位一起读/写，这4位具体同样的地址
(3) 各片同时按行刷新，需要刷新2018次。MUX是多路选择器，刷新则把刷新计数器内的值作为行地址；读写则把行地址缓冲器内的值作为行地址
刷新计数器的位数是11位，刷新计数值不需要送列译码器。
内存条就是把若干DRAM芯片焊装在一小条印制电路板上制成。
现在都没有北桥芯片了，存控直接做在CPU里，直接通过存储器总线和内存条相连。多通道并行传输。存控负责把地址分解成Channel、Rank、Bank、Row、Coloum。传送用brust方式一次传送连续地址数据，通过DQM（数据掩码信号）选择Burst传输中的哪个数据，如brust长度是4，传输4个64bit，DQM选择传输哪几个64bit。