众所周知SSD和U盘作为都是我们最为常用的非易失性存储器（non-volatile memory，即NVM），并非数据绝对不会丢失，只是不易丢失。
而且相对于传统的机械硬盘数据保存时间也是低了很多，不过对于网传的固态硬盘一年不充电就会丢失数据，笔者还是心存疑虑的。
固态硬盘记录数据，基于晶体管的浮栅结构，使用电容中的电子进行存储。
简单说，晶体管是一个可以依靠栅极（水头龙）来控制电流（水流）通断的器件。当加载在栅极上的电压超过阈值电压的时候就导通，反之则切断，以此锁住电子，让数据得以保存。
浮栅绝缘体和半导体通道的界面之间有很高的能级壁垒，跨过这个壁垒需要的能量远远高于绝缘体里电子所具有的能量，所以电子在理论上逃不出来。
但因为量子力学，无论能级有多高，电荷总有一定的概率穿过去。哪怕隧穿的成功的概率是0.00000000001%，但耐不住电子时时刻刻的尝试，难免会有“越狱成功”的。这就使得晶体管存储的信息存在丢失可能。
Intel曾经做过相关的研究，在温度在30度的环境下，数据经过52周即有可能出现数据丢失。如果把温度提升至35度，周期缩减一半至26周；如果把温度提升至55度，那2周内就有可能丢失。
52周（1年）是闪存额定擦写寿命用尽后的保底水平，那么闪存的寿命越长，能够安心使用的时间自然也就越长。
3D闪存的擦写寿命相比过去2D闪存有了很大的提升，再加上普遍应用的LDPC纠错，更是大幅增强了闪存擦写循环次数，在日常温度下，即使在超过一年时间不通电，数据仍旧是完整的。
而如今最新闪存芯片使用CT电荷陷阱取代FG浮栅结构，对电子的固定能力更强，漏电更少，断电后数据保持时间也就更长。