型号：S1M
分类：整流二极管 贴片
产品图
S1M
参数：
参数介绍
1.最高重复峰值反向电压VR：
指二极管两端允许施加的最大反向电压。如果大于此值，那么反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。
2. 最大平均整流电流I(AV)
在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。
3. 最大浪涌电流IFSM
允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
4. VF正向压降
二极管在正向导通的时候，流过电流的时候会产生压降。一般情况下，这个压降和正向电流以及温度有关。通常硅二极管，电流越大，压降越大。温度越高， 压降越小。但是碳化硅二极管却是温度越高，压降越大。
5. 额定整流电流IF
指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。
6. 反向饱和漏电流IR
指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。在常温下，硅管的IR为纳安（10-9A）级，锗管的IR为微安（10-6A）级。
整流二极管介绍
一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。
使用范围
整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。
详细参数见规格书，规格书可前往PHY品牌官网下载，网址：www.p-h-y.com
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