存储器知识点

cache是为了弥补主存速度的不足
1．按用途分类
⑴内部存储器
内部存储器又叫内存，是主存储器。用来存储当前正在使用的或经常使用的程序和数据。CPU可以对他直接访问，存取速度较快。
⑵外部存储器
外部存储器又叫外存，是辅助寄存器。外存的特点是容量大，所存的信息既可以修改也可以保存。存取速度较慢，要用专用的设备来管理。
计算机工作时，一般由内存ROM中的引导程序启动程序，再从外存中读取系统程序和应用程序，送到内存的RAM中，程序运行的中间结果放在RAM中,（内存不够是也可以放在外存中）程序的最终结果存入外部存储器。
2.按存储器的性质分类
⑴RAM随机存取存储器（Random Access Memory）
CPU根据RAM的地址将数据随机的写入或读出。电源切断后，所存数据全部丢失。按照集成电路内部结构不同，RAM又分为两类：
①SRAM静态RAM（Static RAM）
静态RAM速度非常快，只要电源存在内容就不会消失。但他的基本存储电路是由6个MOS管组成1位。集成度较低，功耗也较大。一般高速缓冲存储器（Cache memory）用它组成。
②DRAM动态RAM（Dynamic RAM）
DRAM内容在 4 秒之后自动消失，因此必须周期性的在内容消失之前进行刷新（Refresh）。由于他的基本存储电路由一个晶体管及一个电容组成，因此他的集成成本较低，另外耗电也少，但是需要刷新电路。
⑵ROM只读存储器（Read Only Memory）
ROM存储器将程序及数据固化在芯片中，数据只能读出不能写入。电源关掉，数据也不会丢失。ROM按集成电路的内部结构可以分为：
①PROM可编程ROM（Programable ROM ）
将设计的程序固化进去，ROM内容不可更改。
②EPROM可擦除、可编程（Erasable PROM）
可编程固化程序，且在程序固化后可通过紫外线光照擦除，以便重新固化新数据。
③EEPROM电可擦除可编程（Electrically Erasable PROM）
可编程固化程序，并可利用电压来擦除芯片内容，以便重新固化新数据
将设计的程序固化进去，ROM内容不可更改。
Flash存储器又称闪存，是一种在线多次擦除的非易失性存储器，掉电数据不丢失（ROM只读），
NOR型闪存和NAND型闪存，32中文参考手册说其不具有字节选择功能
网上资料：NOR型Flash,可以直接读取芯片内存储器的数据，速度快价格高，XIP芯片内执行不用读代码到RAM可直接在Flash上运行。
NAND型Flash，内部存储以块为单位，高密度存储，读和擦都很快，缺点Flash的管理需要特殊的系统接口。
NOR型Flash读写基本单位字，NAND型Flash是页面大小一般512K字节。
牢记：
ROM：只读存储器
随机存储器(RAM)
随机存储器分为静态与动态：
静态随机存储器 (SRAM)
动态随机存储器（DRAM）
可编程只读存储器（PROM）
可擦可编程序只读存储器（EPROM）
可擦可编程只读存储器（EEPROM）
SRAM和DRAM都是随机存储器，机器掉电后，两者的信息都将丢失。它们的最大区别就是：DRAM是用电容有无电荷来表示信息0和1，为防止电容漏电而导致读取信息出错，需要周期性地给电容充电，即刷新；而SRAM是利用触发器的两个稳态来表示信息0和1，所以不需要刷新。另外，SRAM的存取速度比DRAM更高，常用作高速缓冲存储器Cache。