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1、基本原理
Boost电路的基本拓扑如下：
开关导通电感电流和电感两端电压满足这样的关系：
开关关断电感电流和电感两端电压满足这样的关系：
设开关导通时间为Ton，关断时间为Toff，IL为整个工作周期电感的平均电流。
开关导通时电感积累的能量为 Pin=Uin*IL*Ton。
开关关断时电感释放的能量为Pout=（Uo-Uin）*IL*Toff。
由于Pin=Pout可得:
上式左边便是开关PWM占空比D。
需要注意的是这个结果是电感电流始终不为零推倒的，实际上在不加负载时电感上的电流不是连续的。
在上述分析中我们得到BOOST拓扑在电感电流连续的情况下输入输出电压与开关占空比的关系：
那么是不是我们给定了一个占空比，就能得到一个稳定的输出了吗，答案是不可能的，其一输入电压Vin在不断变化，其二负载的变化也会让电感电流进入不连续工作状态，因此我们需要反馈，当输出电压小于期望值时我们将开关占空比增加，同理，大于时减小占空比。
反馈的方式有两种，一种是最常用的硬件反馈，一种是软件反馈。我们先来讨论硬件反馈。
经典开关电源控制芯片UC3842是硬件反馈很常用的器件，以下是UC3842在BOOST电路中的应用：
软件反馈则是指单片机用AD采集BOOST电路输出电压然后与设定电压相比较来改变开关PWM占空比，继而调节输出。软件反馈相比于硬件反馈更显灵活，是后期常用的方式，硬件反馈是基础，软件反馈是升华。
前面介绍了BOOST电路基本组成和控制策略，下面将要介绍BOOST电路内部具体参数的设计，首先是电感的设计。
2、电感设计
设计电感的前提是要知道流过电感的最大电流平均值，就是在满载的情况下，这里不加证明的给出电感电流公式：
其中Io是输出电流，D是开关管最大占空比。
我们建立这样一个原则：
设开关导通时间为Ton，则:
，f为开关频率
导通时电感电流上升斜率为：
那么：
从而可以得出电感：
仅仅算出电感值不够，我们还要确定用什么样的磁芯和多少线径的铜线绕制，在这之前，我们要简单说说电感的一个重要特性——磁饱和。
具体定义大家百度一下，用最直接的解释就是电感感值随着流过电感电流的变大而变小，甚至完全消失，电感成为了一根导线，引发短路！
我们带着这个特性来尝试设计它。
首先我们要知道有哪些常用的磁芯：
从大到小：77191A7、77254A7、77930A7
分别常用于80~200W，20~80W，20W以下。
根据电感L=AL*N^2。计算出圈数。
我们说过电感感值会随着电流增大而变小，我们要求设计出来的电感在最大电流时其值下降不低于电流为0时的80%。看PDF文档最下面有个图表：
磁芯圈数都设计好了，最后一步是漆包线线径的确定，我们提供一个原则，一般导线截面积单位cm^2上流过的电流为400A。
3、续流二极管选取
对于续流二极管，要注意流过最大电流限制和反向承受电压限制，满足这两个基本条件下我们希望二极管反向恢复速度越快越好。
【推荐】SS36（反向恢复时间小于10ns，耐压值为60V，正向电流为3A，正向导通压降仅为0.75V）
4、开关管选取
对于开关管，选用开关速度快的MOSFET场效应管，要注意它的耐压值足够大和导通电阻尽量小。
【推荐】IRF3205（导通阻抗仅为8毫欧，一个开关周期仅为64ns）
开关频率建议设定为20kHz。
另外，单片机是不能驱动MOS管的，所以需要用驱动芯片来驱动，推荐使用IR2302，电路图如下：
如果是驱动单个MOS管，HO接MOS的G极，VS接地。
5、取样电阻
电流取样电阻的选取不能只看功率够不够，而是要满足精度的问题，当电路工作时，电阻难免发热，阻值会发生变化，这样测量的电流就不准了，而康铜丝电阻不仅功率大，温漂也相当小，因此我们选取它作为电流采样电阻。
电流采样电路简图如下：
