描述
TPS560200是一款集成MOSFET的17V，500mA，低Iq自适应导通时间，采用简单易用的5引脚SOT-23封装。
TPS560200有助于系统设计人员通过具备成本效益，所用组件较少并且待机电流较低的解决方案完成各种终端设备的电源总线调节器集。器件主控制回路采用D-CAP2模式控制，无需外部补偿元件即可实现快速瞬态响应。自适应导通时间控制支持器件在高负载条件下的PWM模式与轻负载条件下的高级Eco模式工作模式之间实现无缝切换。FAE：13723714318
品牌：TI
型号；TPS560200DBVR
封装：SOT23-5
包装：3000
年份：18+
产地：MY
数量：30000
TPS560200的专有电路还可使其适应低等效串联电阻（ESR）输出电容（如导电性聚合物钽固体电解电容（POSCAP）和导性聚合物铝电解电容（SP-CAP））以及超低ESR陶瓷电容。该器件由4.5V至17V范围内的输入电压供电。该器件还具有2ms固定软启动时间。该器件采用5引脚SOT- 23封装。
特性
集成单片0.95Ω高侧和0.33Ω低侧MOSFET
500mA持续输出电流
输出电压范围：0.8V至6.5V
0.8V基准电压，温度范围内的精度为±1.3％
高级自动跳跃Eco-mode用于在轻负载时实现高效率
d-CAP2模式启用快速瞬态响应无需外部补偿
600kHz开关频率 2ms内部软启动
安全启动至预偏置VOUT 热关断
-40°C至125°C的工作结温范围 采用5引脚小外形尺寸晶体管（SOT）-23封装
应用
机顶盒
调制解调器
DTB
ASDL
7.1概述
TPS560200是一款500 mA同步降压（降压）转换器，带有两个集成的N沟道MOSFET。它使用D-CAP2模式控制进行操作。 D-CAP2控制的快速瞬态响应降低了输出满足特定性能水平所需的电容。 专有的内部电路允许使用lowESR
输出电容器包括陶瓷和特殊聚合物类型。
7.3.1 PWM操作
TPS560200的主控制回路是一个自适应导通时间脉冲宽度调制（PWM）控制器支持专有的D-CAP2模式控制。 D-CAP2模式控制结合了恒定的导通时间控制和内部补偿电路用于伪固定频率和低外部元件数配置低ESR和陶瓷输出电容器。即使输出端几乎没有纹波，它也很稳定。在每个周期开始时，高侧MOSFET导通。内部后，该MOSFET关闭一次性计时器到期。这一次通过转换器输入电压VIN和输出电压VOUT来设置在输入电压范围内保持伪固定频率，因此称为自适应导通时间控制。该当反馈电压低于时，单稳定时器复位，高端MOSFET再次导通参考电压。内部斜坡添加到参考电压，以模拟输出纹波，无需使用用于从D-CAP2模式控制的ESR感应输出纹波。
7.3.4软启动和预偏置软启动
TPS560200具有内部2 ms软启动功能。当EN引脚变为高电平时，内部软启动功能开始将参考电压升高到PWM比较器。
TPS560200包含一个独特的电路，可防止在启动期间从输出中拉出电流输出是有偏差的。当软启动命令电压高于预偏置电平时（内部软启动）变得大于反馈电压VVSENSE），控制器缓慢激活同步整流以较短的导通时间启动第一个低侧FET栅极驱动器脉冲。然后它在a上按时增加逐周期地，直到它与（1-D）所规定的时间一致，其中D是转换器的占空比。
该方案可防止预偏置输出的初始下沉，并确保输出电压（VOUT）开始平稳地进入调节阶段，控制回路有时间从预偏置启动过渡到正常模式操作。
7.3.5电流保护
输出过流保护（OCP）使用逐周期谷值检测控制电路实现。该通过测量PH引脚和GND之间的低侧FET开关电压来监控开关电流。这个电压与开关电流成正比。为了提高精度，电压检测是温度补偿。在高侧FET开关导通期间，开关电流以VIN确定的线性速率增加，VOUT，导通时间和输出电感值。在低侧FET开关导通期间，此电流线性减少。开关电流的平均值是负载电流Iout。 TPS560200不断在低侧导通时间内监视低侧FET开关电压，该电压与开关电流成比例。如果测量的电压高于与电流限制成比例的电压，则内部计数器递增
每个开关周期和转换器保持低侧开关直到测量电压低于与切换周期终止时的电流限制相对应的电压和新的切换循环开始。在随后的开关周期中，导通时间设置为固定值，并监控电流以同样的方式。
这种过流保护有一些重要的考虑因素。峰值电流是平均值负载电流加上峰峰值电感电流的一半。谷值电流是平均负载电流减去峰峰值电感电流的一半。因为谷电流用于检测过电流阈值，负载电流高于过流阈值。而且，当电流受限时，输出电压趋于下降，因为要求的负载电流可能高于可用的电流转换器。这种保护是非闩锁的。当VSENSE电压低于目标值的63％时电压，UVP比较器检测到它。检测到UVP电压7μs后，设备关闭并重新启动打嗝之后。