55ns超快速存取时间8Mb低功耗SRAM芯片存储器

全球少数致力于研发工业SRAM芯片的VTI半导体科技公司最新推出一款容量为8Mb(512K ×16bit)的低功耗静态随机存取存储器(SRAM)——VTI508NL16VM-55I。该元器件采用高可靠,高性能,高品质CMOS领先技术,其电路抗干扰能力较强。VTI508NL16VM-55I这款SRAM芯片以低功耗和高可靠的特性被广泛应用于低功耗便携式产品中,如电信设备、工业控制、POS机、无人机、医疗电子等应用,特别适用于配备电池备份的应用设备。

VTI508NL16VM-55I是以低功耗的特性作为产品的重要特征,该芯片的工作电流最大值为30mA,待机电流为4µA,工作电压为2.7~3.6V,快速存取时间为55ns,工作温度范围为-40°C至+85°C。

VTI508NL16VM-55I采用44TSOP-2封装方式,具有44个引脚,芯片大小如下图所示。它符合RoHS规范,并具有全静态操作和三态输出。最小数据保持电压仅为1.2V,所有输入和输出引脚都完全兼容TTL。

封装图:

VTI508NL16VM-55I存储器SRAM芯片封装图


VTI科技公司以高可靠信,可pin对pin引脚兼容的优点,可以替换如ISSI、CYPRESS等品牌的SRAM芯片产品,VTI科技公司全系列低功耗SRAM产品容量范围包括64K、256K、1M、2M,4M、8M、16M,可根据产品选择容量不同的SRAM芯片产品。
 

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转载自blog.csdn.net/sramdram/article/details/88868175
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