STM32 的页擦除顺序为：

 检查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解锁，如果没有则先解锁

 检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，以确认没有其他正在进行的闪存操作

 设置 FLASH_CR 寄存器的 PER 位为’1’

 用 FLASH_AR 寄存器选择要擦除的页

 设置 FLASH_CR 寄存器的 STRT 位为’1’

 等待 BSY 位变为’0’

 读出被擦除的页并做验证

void	Up_E2Data(u32 e2address) 		//更新flash参数数据
{
	u8  i=0;
	if(Flag_UpdataE2)		//接收到新的参数
	{
		Flag_UpdataE2=0;
	 	if(FLASH->CR&(1<<7))			//解锁
		{
			FLASH->KEYR=0x45670123;
			FLASH->KEYR=0xCDEF89AB;
		}
		FLASH->CR|=1<<1;			   //擦除指定页数据，为新的数据作准备
		FLASH->AR=e2address;
		FLASH->CR|=1<<6;
		while(FLASH->SR&(1<<0));
	    FLASH->CR&=~(1<<1);
		FLASH->CR|=1<<0;
		while(FLASH->SR&(1<<0));
						  //写如新的数据
		while(i<2)				  //写如新的数据
		{
			while(FLASH->SR&(1<<0));
			*(volatile u16 *)e2address=Parameter[i];
			e2address+=2;
			i++;	
		}
		FLASH->CR&=~(1<<0);
		FLASH->CR|=1<<7;			//加锁，防止误操作
	}
}

STMFLASH_ReadHalfWor()函数的实现原理我们在前面已经详细讲解了。下面我们重点介

绍一下 STMFLASH_Write 函数，该函数用于在 STM32 的指定地址写入指定长度的数据，该函

数的实现基本类似第 29 章的 W25QXX_Write 函数，不过该函数对写入地址是有要求的，必须

保证以下两点：

1，该地址必须是用户代码区以外的地址。

2，该地址必须是 2 的倍数。

条件 1 比较好理解，如果把用户代码给卡擦了，可想而知你运行的程序可能就被废了，从

而很可能出现死机的情况。条件 2 则是 STM32 FLASH 的要求，每次必须写入 16 位，如果你写

的地址不是 2 的倍数，那么写入的数据，可能就不是写在你要写的地址了。

另外，该函数的 STMFLASH_BUF 数组，也是根据所用 STM32 的 FLASH 容量来确定的，

战舰 STM32 开发板的 FLASH 是 512K 字节，所以 STM_SECTOR_SIZE 的值为 512，

//要写入到STM32 FLASH的字符串数组
const u8 TEXT_Buffer[]={"STM32F103 FLASH TEST"};
#define SIZE sizeof(TEXT_Buffer) //数组长度
#define FLASH_SAVE_ADDR 0X08070000 //设置FLASH 保存地址(必须为偶数，且其值要大于本代码所占用FLASH的大小+0X08000000)

FLASH的大小计算

在Keil MDK编译器编译后，信息栏都会显示编译情况，这其中就包含了FLASH跟SRAM的信息。如下图所示，

一方面它也说明程序在编译后会把相同性质的数据（比如变量，其中包括局部变量和全局变量。当然其中也包括代码）归放到同一域里面。

/*********************************************************************************************/

查看FLASH跟SRAM的占用空间问题主要看下面的语句。

Program Size: Code=29864 RO-data=123592 RW-data=60 ZI-data=3900

/*********************************************************************************************/

其中要着重注意的是Code、RO-data、RW-data、ZI-data所代表的意思

Code：即代码域，它指的是编译器生成的机器码，它被存储在ROM区。也表示程序所占用 FLASH 的大小（ FLASH）。

RO-data：即 Read Only-data，只读数据区，它被存储在ROM区。表示程序定义的常量，如 const 类型（ FLASH）。

RW-data：即 Read Write-data，可读可写数据区，它被存储在ROM区，表示已被初始化的全局变量（这里的初始值是指非0值）（ SRAM）

ZI-data：即 Zero Initialie data， 0初始化数据，它被存储在RAM区，表示未被初始化的全局变量(SRAM)

注：在查阅野火的<<零死角玩转STM32>>电子书的 “程序的组成、存储于运行” 这个章节时，发现还有一个区会被忽略，也许在查看了上面几个存储区域后，会发现在 RW-data 和 ZI-data 这两个区域都存储在RAM中，存储的都是全局变量，那么局部变量存储在哪里呢？答案是：存储在ZI-data 的栈空间(Stack)及堆空间(Heap)。

ZI-data 的栈空间(Stack)及堆空间(Heap)：在 C 语言中，函数内部定义的局部变量属于栈空间，进入函数的时候从向栈空间申请内存给局部变量，退出时释放局部变量，归还内存空间。而使用 malloc 动态分配的变量属于堆空间。在程序中的栈空间和堆空间都是属于 ZI-data 区域的，这些空间都会被初始值化为 0值。编译器给出的 ZI-data占用的空间值中包含了堆栈的大小(经实际测
试，若程序中完全没有使用 malloc 动态申请堆空间，编译器会优化，不把堆空间计算在内)

/*********************************************************************************************/

那么FLASH和SRAM占用情况的计算方式如下所示：

flash = Code + RO-data + RW-data = 29864 + 123592 + 60 = 153516 bytes

sram = RW-data + ZI-data = 60+ 3900= 3960bytes

还有一个要特别注意的是程序的大小不是.hex文件的大小，而是编译结果的Code+RO-data。

在程序初始化的时候，RW-data会从FLASH中拷贝到RAM中。
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程序编译完成

对STM32容量选型或者计算FLASH 充当EEPROM起始地址时会用到此参数。

按照下面截图程序空间 = （16700+732+4580）/1024 = 21.5K