MOS选型
第一步：选用N沟道还是P沟道
低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS
根据电路要求选择确定VDS，VDS要大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。
第二步：确定额定电流
额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。
MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。
MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。
器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。
第三步：确定热要求
器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。
第四步：决定开关性能
选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。
MOS管选型
KIA6N70S 5.8A 700V 5Ω
KIA6410A 15A 100V 0.09Ω
KIA100N03A 90A 30V 0.004Ω
KI50N06 50A 60V 0.023Ω
KIA2803 150A 30V 0.0028Ω
KIA840 8A 500V 0.09Ω
KIA4560 6A 600V 1.7Ω
KIA5N50 5A 500V 1.5Ω
KIA23P10 -23A -100V 0.95Ω
KIA35P10 -35A -100V 0.055Ω
KIA75NF75 80A 80V 0.009Ω
KIA2404A 190A 40V 0.0035Ω
KIA2806 160A 60V 0.0045Ω
KIA3506 70A 60V 0.008Ω
KIA3508 70A 80V 0.012Ω
KIA9N90 9A 900V 1.4Ω
KIA20N50 20A 500V 0.26Ω
KIA3306 80A 60V 0.008Ω
KIA4N60 4A 600V 2.7Ω
KIA18N50 18A 500V 0.32Ω
KIA10N65 10A 650V 0.75Ω
KIA20N40 20A 400V 0.25Ω
KIA2906 130A 60V 0.007Ω
KIA3103 110A 30V 0.0026Ω
KIA2300 6A 20V 0.03Ω
KIA2302 3A 20V 0.065Ω
KIA3400 4.8A 30V 0.035Ω
KIA3401 -4A -30V 0.06Ω
KIA3415 -4A -16V 0.045Ω
KIA4706 8A 60V 0.01Ω
KIA4810 9A 100V 0.02Ω
KIA7306 22A 60v 0.0055Ω
KIA65950 5A 650V 095Ω
KCP7610 20A 600V 0.19Ω
KCX3205 100A 500V 0.031Ω
KCX9860A 47A 600V 0.081Ω
KIA60R380 11A 600V 0.38Ω
KIA65R300 15A 650V 0.3Ω
KIA06065 6A 600V
KIA08065 8A 650V
KIA10065 10A 650V
