重难点说过了，是三四五章，总算是过完了，现在来到第六章，当然这章也挺难的。
书上的叙述的讲各种电路连接方式分别分析的。感觉有点繁琐，但也只能一点一点看。
6.1 概述
首先要掌握密勒定理，这定理看似直观，实际上也不太直观，当然我也不怎么想深入理解，直接用就可以了。
还需要记住一个明显的问题，那就是如果输入输出只存在一条通路，那么这种密勒转换一般不成立。
另一个要掌握的就是极点和结点的关联，结点看到的总电容和总电阻的相乘就是一个极点的时间常数。
虽然并不严格成立，但却是直观估计的一个非常好的方法。
另外，利用密勒定理对电路简化时，常常会丢掉传输函数的零点。
在后面的总结之前，先要了解mos管的电容来源。详细的原理就不说了，只说电容模型。
管子其实是四端器件。G、D、S、B，除了DB之间外，互相都有电容，一共五个。
具体怎么讨论、省略、近似，要结合实际电路。
6.2 共源级
此时，5个电容，CSB是没有的，CGS和CGB是一起的，因此只有三个电容要考虑。
利用密勒定理可以做近似讨论，输入和输出各一个极点。
但是存在误差，遗漏了一个零点。另外，利用gmRd近似了增益，实际上随着频率的改变，增益是会变化的。
详细的分析，真的很繁琐，也没法直观理解，但结果表明存在一个零点。同时还发现传输函数是二阶的，尽管存在三个电容。原因是三个电容形成了一个环路，并不相 互独立。因此是二阶的。
例题就不详细写了。。。
对于被忽视的零点，w = gm / CGD ，产生的原因是输入输出通过该电容直接耦合产生的。位于右半平面，CGD提供一个前馈回路，将高频信号直接传到输出端，结果在 频率特性曲线中出现比-40dB更正的斜率。对于零点的计算其实有简单方法：在该频率下，输出为0，我们直接将其接地，流过电容的电流和流过管子的电流相等，即可得到零点。
最后，电容对输入阻抗也有很大影响，先略了，只需要知道有影响就可以了。
6.3 源跟随器
源跟随器性质不咋好，一般用作点平移位器和缓冲器，结果会影响整个频率特性。
源跟随器中我们只考虑三个电容：CGS、CGD（CGB在其中）、CSB，没有CDB是因为它接地，
由于输入输出通过CGS有很强的相互作用，使得源跟随器很难把一个极点和相对应的结点进行关联。
因此只能利用小信号等效电路进行推导，结果表示左半平面有一个零点，原因是高频时，由Cgs传导的信号与本证晶体管产生的信号以相同的极性相加。这块真的忘了，关于极点的左右，好像是在信号与系统里的，有时间一定要系统看一遍。
输入电阻也不想看，有点繁琐，没看到什么有意义的结论。
对于输出阻抗，可知有时（大电阻驱动时）会有频率增大输出阻抗增大的情况。这意味着和电感的行为类似，如果此电路驱动大的负载电容，阶跃响应中表现为减幅振幅。
6.4 共栅级
若忽略沟长调制，则共栅级的输入输出结点是孤立的。因此考虑利用结点求极点会很方便。
电路的一个重要性质是，没有电容的密勒乘机乘积项，可达到宽带。虽然不太理解，但直观理解是米勒效应会放大电容，大电容引起低通带。
若不能忽略沟长调制，则分析会很复杂。输入极点受负载影响，很难讨论。
如果共栅级由比较大的源阻抗驱动，则该电路的输出阻抗在高频时会下降，这种影响将在共源共栅中讨论。
6.5 共源共栅级
第三章讲，共源共栅在提高增益和提高电流源输出阻抗的方面是十分有利的，同时屏蔽作用应用也很多。
如果把共源共栅看成共源级和共栅级的级联，则该电路可以通过抑制米勒效应，为共栅级提供速度，并为共源级提供输入阻抗。
不是很理解原文这句话的意思，我的理解是，共栅级作为共源级的负载，小输入阻抗使得共源级的增益很小，从而输入节点米勒等效电容变小，速度变快。
至于例题和引申出的结论，有点复杂不想看了。
共源共栅做电流源时，高频情况下输出阻抗会减小，相当于性质变差。
6.6 差动对
对差动对的共模增益计算表明，如果输出极点比p点的极点离原点更远，那么高频时共模抑制特性变差。
极点离原点远，代表了低电容和高的速度，也就是说p点离原点近，p点大电容，会导致尾电流源输出阻抗进一步缩小，从而抑制特性更差，我是这么理解的。
同时电路存在电压余度和共模抑制比的折中问题，要电压余度消耗小，就必须把M3宽度增大，带来的结果就是M1M2源端电容增大，共模抑制比降低。低电压情况下，该问题更加严重。
以电流源做负载的差动电路，略。。
以电流镜为负载的差动电路，看不懂，不想看。。。
这章先到这里吧。。