MRAM在太空应用中的多功能性和性能。基于Everspin的技术交付生产级，符合太空要求的磁阻随机存取存储器（MRAM），为太空工业提供辐射硬化，高度可靠的非易失性不受单事件翻转（SEU），低压单事件闩锁（SEL）和单事件门破裂（SEGR）影响的存储器。该产品还在-40°C至+ 105°C的温度范围内提供无限的耐用性和超过20年的使用寿命。
Everspin 4 Mbit MRAM（磁性随机存取存储器）芯片由Everspin Technologies和IMU（惯性测量单元）芯片组成。新兴的MRAM技术结合了磁性材料和硅集成电路，形成了快速，可靠的非易失性RAM（NVRAM）。MRAM结合了具有扩展的温度操作，无限的耐久性和长久性的非易失性存储器。数据保留，即使断电也是如此。 Everspin的4Mbit MRAM器件取代了闪存和电池供电的SRAM。
由于MRAM耐辐射。为坚固的系统设计提供高温数据存储和访问以及高可靠性。在空间中对MRAM进行重新编程的能力允许对系统进行重新配置，而对耐久性，负载均衡或ECC开销没有任何限制。所以MRAM是非常适合使用于航空航天应用中。