A7600C USIM卡接口设计

A7600C支持1.8V和3.0V 的USIM卡。USIM卡的接口电源由模块内部的电压稳压器提供,正常电压值为3V或者1.8V。
1.8V 模式时 USIM 接口电气参数(USIM_VDD=1.8V)如下图:
在这里插入图片描述3.0V 模式时 USIM 接口电气参数(USIM_VDD=3V)如下图:在这里插入图片描述
USIM 参考设计
下图是USIM卡推荐接口电路。为了保护USIM卡,建议使用ST(www.st.com)公司的ESDA6V15W器件或者ON SEMI (www.onsemi.com)公司的SMF15C器件来做静电保护。SIM卡的外围电路器件应该靠近USIM卡座放置。8引脚USIM卡座的推荐电路如下图。
参考电路如下图所示。
在这里插入图片描述注意:USIM_DATA 已通过 4.7KΩ电阻上拉到 USIM_VDD,外部电路不需要上拉。另外,在 USIM_VDD上的 100nF 去耦电容建议必须保留。
SIM卡电路比较容易受到干扰,引起不识卡或掉卡等情况,所以在设计时请遵循以下原则:

  • 在 PCB 布局阶段一定要将 USIM 卡座远离主天线。
  • USIM 卡走线要尽量远离 RF 线、VBAT 和高速信号线,同时 USIM 卡走线不要太长。
  • USIM 卡座的 GND 要和模块的 GND 保持良好的联通性,使二者 GND 等电位。
  • 为防止 USIM_CLK 对其他信号干扰,建议将 USIM_CLK 做单独包地保护处理。
  • 建议在 USIM_VDD 信号线上靠近 USIM 卡座放置一个 220nF 电容。
  • 在靠近 USIM 卡座的地方放置 TVS,该 TVS 的寄生电容不应大于 50pF 的,如 ESD9L5.0ST5G。  在 USIM 卡座和模块之间串联 22Ω电阻可以增强 ESD 防护性能。
  • 为了使走线最为顺畅,建议使用单路 TVS,靠近卡座的各个引脚放置。
  • USIM_CLK 信号非常重要,客户应保证 USIM_CLK 信号的上升沿和下降沿时间小于 40ns,否则可能会出现识卡异常的现象。

USIM 卡座的选择:
6引脚的USIM卡座推荐使用Amphenol公司的C707 10M006 512。
Amphenol USIM 卡座引脚描述:
在这里插入图片描述
注意:如果设计的是车载产品,请选择可靠性更好的 push-push 结构的 SIM 卡座。

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