一、Flash基本知识
1. Flash容量
Flash根据容量大小可以分为以下三种：
- 1、小容量产品：Flash大小为1-32KB（STM32F10X_LD）
- 2、中容量产品：Flash大小为64-128KB（STM32F10X_MD）
- 3、大容量产品：Flash大小为256KB以上（STM32F10X_HD）
2. ST库函数
ST库中对Flash操作主要提供了以下几类操作API函数：
2.1 Flash解锁、锁定函数
void FLASH_Unlock(void); //解锁函数：在对Flash操作之前必须解锁
void FLASH_Lock(void); //锁定函数：同理，操作完Flash之后必须重新上锁
2.2 Flash写操作函数
FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data); //32位字写入函数
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data); //16位半字写入函数
FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data); //用户选择字节写入函数
注：这里需要说明，32 位字节写入实际上是写入的两次 16 位数据，写完第一次后地址+2，这与我们前面讲解的 STM32 闪存的编程每次必须写入 16 位并不矛盾。写入 8位实际也是占用的两个地址了，跟写入 16 位基本上没啥区别。
2.3 Flash擦除函数
FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address); //擦除一页
FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void); //擦除所有页
2.4 获取Flash状态
FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);
获取Flash状态函数，主要是为了获取Flash的状态，以便于根据状态对Flash进行操作。该函数返回值是通过枚举类型定义的，在代码中可以看到FLASH_Status类型定义如下（具体含义看注释即可）：
typedef enum {
FLASH_BUSY = 1, //忙
FLASH_ERROR_PG, //编程错误
FLASH_ERROR_WRP, //写保护错误
FLASH_COMPLETE, //操作完成
FLASH_TIMEOUT //操作超时
}FLASH_Status;
2.5 等待操作完成函数
FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);
注：在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。所以在每次操作之前，我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。
二、Flash的写入和读取
此次操作Flash使用的MCU是STM32F103C8T6，在数据手册中，可以看到STM32F103C8T6的flash起始地址是0x0800 0000，而STM32F103C8T6的Flash大小为64K，可以计算出STM32F103C8T6的Flash地址范围是：0x0800 0000——0x0800 FFFF。这里选取0x0800 F000作为读写操作的起始地址，对于C8T6这款MCU，操作这个起始地址应该算是很安全的范围了。
1.Flash的写入
根据ST库提供的上述函数，我们可以自己编写Flash的写入操作代码如下：
#define STARTADDR 0x0800F000 //STM32F103C8T6适用
/*
* Name: WriteFlashData
* Function: 向内部Flash写入数据
* Input: WriteAddress：数据要写入的目标地址（偏移地址）
* data[]： 写入的数据首地址
* num： 写入数据的个数
*/
void WriteFlashData(uint32_t WriteAddress, uint16_t data, uint32_t num)
{
uint16_t sign = 0; //标志位
FLASH_Unlock(); //解锁Flash
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR); // 清除所有标志
sign = FLASH_ErasePage(STARTADDR); //擦除整页
if(sign == FLASH_COMPLETE) //Flash操作完成
{
for(uint32_t i=0;i<num;i++)
{
FLASH_ProgramHalfWord(STARTADDR+WriteAddress+i*2, data[i]); //写入数据
}
}
FLASH_Lock(); //重新锁定Flash
}
2.Flash的读取
根据ST库提供的上述函数，我们可以自己编写Flash的读取操作代码如下：
#define STARTADDR 0x0800F000 //STM32F103C8T6适用
/*
* Name: ReadFlashData
* Function: 从内部Flash读取num字节数据
* Input: ReadAddress：数据地址（偏移地址）
* dest_Data： 读取到的数据存放位置指针
* num： 读取字节个数
*/
void ReadFlashData(uint32_t ReadAddress, uint8_t *dest_Data, uint32_t num)
{
for(uint32_t i=0;i<num;i++)
{
dest_Data[i]=*(uint8_t*)(STARTADDR+ReadAddress+i); //读取数据
}
}