1.版图前准备操作
画好原理图，打好pin脚（pin最好以全大写的形式书写，以防后续操作中可能出现Bug）
查看所使用工艺库的design rule文件，确定栅格单位设置大小
在准备绘制的原理图界面启动layout XL/GXL
在layout界面按e，设置网格大小与design rule匹配
直接根据原理图生成版图
根据原理图连接关系显示版图中未连接的飞线
查看和更改原理图与版图中器件对应的链接关系
shift + f：显示器件版图细节
版图的构成：元器件（工艺厂商提供）、器件连接、阱连接、IO和PAD
模拟电路版图简略设计流程：
导入元器件 ——> 根据原理图连接关系进行版图布局（添加dummy器件），匹配器件相对位置摆放 ——> 规定金属走线横竖与奇偶的关系，元器件连接 ——> 阱和衬底连接 ——> DRC / LVS 检查 ——> 寄生参数提取
2.基础操作
1.鼠标
左键单击 –> 选中或确定操作。如果点击处包含多个层次，则左键多次单击是在不同选中层次间切换
按住左键 –> 选中区域内所有组件
右键单击 –> 扩展操作
按住右键 –> 将原理图自适应到所选中的区域
滑动鼠标滚轮 –> 放大和缩小原理图界面
Shift + 滑动鼠标滚轮 –> 水平滚动原理图界面
Ctrl + 滑动鼠标滚轮 –> 垂直滚动原理图界面
按住shift可多选
按住Ctrl可取消多选
下述键盘快捷键操作中，开启大写锁定后，大部分字母按键都会等价于Shift + 该字母按键
2.键盘
e –> 打开显示选项。可修改网格点大小，开启display dimming，不显示网格点等等
Ctrl+F or Shift+F –> 切换是否显示组件版图细节
f –> 自动将原理图放大到适合屏幕窗口的大小
shift+z –> 放大界面；
ctrl+z–> 缩小界面；
tab –> 以点击位置为画面中心。
i –> 添加组件
q –> 编辑选中组件的属性
shift + q（Q） –> 查看当前窗口的属性
ESC –> 取消操作
u –> 撤销上一步操作
Shift + u –> 恢复下一步操作
delete –> 删除
ctrl + D –> 取消选择，用鼠标点击空白区域也可实现
F2 –> 保存
F3 –> 打开基础操作的扩展选项
标尺下F3可以调整标尺的大小
F4 –> 全部/部分选择模式切换。在图形比较复杂时，可以仅框选图形一部分就同时选中多个图形
r –> 添加矩形，一般用于绘制有源区等层
p–> 添加路径，一般用于金属走线（layout XL下可以直接延展对应边界）
Shift+P–> 添加多边形
n –> 切换操作编辑方式，默认90°，在菜单栏中可以观察，90°/45°/任意角度三种模式间切换
m –> 移动组件
Shift + M –> 组合所选中的多个图形（对metal来说，先要保证两者在物理逻辑上是相连接）
c –> 复制元素
Shift + c –> 裁剪图形
Ctrl + s –> 修改通过p产生的连线走向
k –> 添加标尺
Shift +k –> 去除所有标尺
s –> 拉伸
a –> 快速对齐
以上大部分操作使用时都可以按F3打开扩展选项
o –> 添加过孔。mode选择stack可以直接创建多层通孔
Shift+o –>旋转
t –> 查看点击位置包含的所有元素
g –> 切换鼠标是否自动吸附近元素(层次不多的时候比较方便，复杂的时候反而有副作用)
Shift + g –> 添加 Guard Ring
Multipart Path——用于画guard ring或衬底
3.层次化操作
x –> 在当前界面编辑所选定的layout子模块（左键双击也可以实现该功能）
Shift + x –> 以新的界面编辑所选定的layout子模块
Shift + b –> 返回上一层的layout
4.进阶操作
左侧绘制选择栏中used勾选只显示所用层、NV勾选可只显示某些层，AV勾选显示所有层
有些情况下，对齐和组合的快捷图标是隐藏的，组合的可以通过拖动下方当菜单栏右侧的三个横线以显示
对齐通过右键菜单栏打开
对齐间距对模块以最外层测量为准，对MOS管似乎是以AA为准，对齐时第一栏数字（默认单位为um）为对齐方向距离，第二栏数字为对齐垂直方向距离，如果不勾选则不会调整对齐间距
暂时屏蔽组合
设置选择保护（进行高层版图连接时，避免误触选择到子元件）
设置成功后黄色线高亮表示对应元件被锁定，后续操作中无法被选择
3.XL 功能
XL probe
高亮选中元素所有相关的连接关系
根据layout修改原理图（需要在layout界面先选好要修改的器件，在点该选项）
根据原理图修改layout（需要在layout界面先选好要修改的器件，在点该选项）
定义链接关系
在原理图中绘制新的器件并选中后，进行新器件导入（可用于dummy管添加）
