嵌入式~PCB专辑23

一、详解20个模拟电路

桥式整流电路

    二极管的单向导电性:二极管的PN结加正向电压,处于导通状态;加反向电压,处于截止状态。其伏安特性曲线,如下图。 

理想开关模型和恒压降模型:理想模型指的是在二极管正向偏置时,其管压降为0,而当其反向偏置时,认为它的电阻为无穷大,电流为零,就是截止。恒压降模型是说当二极管导通以后,其管压降为恒定值,硅管为0.7V,锗管0.5V。

    桥式整流电流流向过程:当u2是正半周期时,二极管Vd1和Vd2导通;而二极管Vd3和Vd4截止,负载RL的电流是自上而下流过负载,负载上得到了与u2正半周期相同的电压。在u2的负半周,u2的实际极性是下正上负,二极管Vd3和Vd4导通而Vd1和Vd2截止,负载RL上的电流仍是自上而下流过负载,负载上得到了与u2正半周期相同的电压。

电源滤波器

电源滤波的过程分析:电源滤波是在负载RL两端并联一只较大容量的电容器。由于电容两端电压不能突变,因而负载两端的电压也不会突变,使输出电压得以平滑,达到滤波的目的。

  • 波形形成过程

    输出端接负载RL,当电源供电时,向负载提供电流的同时也向电容C充电,充电时间常数:τ=(Ri∥RL·C)≈Ri·C

    一般Ri远小于RL,忽略Ri压降的影响,电容上电压将随u2迅速上升。

  • 当ωt=ωt1时,有u2=u0,此后u2低于u0,所有二极管截止,这时电容C通过RL放电,放电时间常数为RLC,放电时间慢,u0变化平缓。

  • 当ωt=ωt2时,u2=u0, ωt2后u2又变化到比u0大,又开始充电过程,u0迅速上升。

  • 当ωt=ωt3时,有u2=u0,ωt3后,电容通过RL放电。

    如此反复,周期性充放电。由于电容C的储能作用,RL上的电压波动大大减小了。电容滤波适合于电流变化不大的场合。LC滤波电路适用于电流较大,要求电压脉动较小的场合。

  • 滤波电容的容量和耐压值选择

    电容滤波整流电路输出电压Uo在√2·U2~0.9·U2之间,输出电压的平均值取决于放电时间常数的大小。

    电容容量RLC≧(3~5)·T/2,其中T为交流电源电压的周期。实际中,经常进一步近似为Uo≈1.2·U2整流管的最大反向峰值电压URM=√2·U2,每个二极管的平均电流是负载电流的一半。

信号滤波器

  信号滤波器的作用:把输入信号中不需要的信号成分衰减到足够小的程度,但同时必须让有用信号顺利通过。

  • 与电源滤波器的区别和相同点

    区别:信号滤波器用来过滤信号,其通带是一定的频率范围,而电源滤波器则是用来滤除交流成分,使直流通过,从而保持输出电压稳定;交流电源则是只允许某一特定的频率通过。

    相同点:都是用电路的幅频特性来工作。

  • LC串联和并联电路的阻抗计算

    串联时,电路阻抗为:

Z=R+j(XL-XC)=R+j(ωL-1/ωC)

    并联时,电路阻抗为:

 幅频关系和相频关系曲线,如下:

微分&积分电路

微分和积分电路,如下图。

微分电路可把矩形波转换为尖脉冲波,主要用于脉冲电路、模拟计算机和测量仪器中,以获取蕴含在脉冲前沿和后沿中的信息,例如提取时基标准信号等。

    积分电路使输入方波转换成三角波或者斜波,主要用于波形变换、放大电路失调电压的消除及反馈控制中的积分补偿等场合。其主要用途有:

  • 在电子开关中用于延迟;

  • 波形变换;

  • A/D转换中,将电压量变为时间量;

  • 移相。

共射极放大电路

    共射极放大电路如下图。

 

  共射极放大电路的结构简单,具有较大的电压放大倍数和电流放大倍数,输入和输出电阻适中,但工作点不稳定,一般用在温度变化小,技术要求不高的情况下。

    特点:

  • 输入信号和输出信号反相。

  • 有较大的电流和电压增益。

  • 一般用作放大电路的中间级。

  • 共射极放大器的集电极跟零电位点之间是输出端,接负载电阻。

分压偏置式共射极放大电路

    分压偏置式共射极放大电路,如下图。

    分压偏置式共射极放大电路即基极分压式射极偏置电路,是BJT的放大电路的三种组态之一。三种组态分别为:共射,共集,和共基。

    其中共集组态具有电流放大作用。输入电阻最高,输出电阻最小。共基组态具有电压放大作用,输入电阻最小,输出电阻较大。而共射组态既具有电压放大也具有电流放大作用。输入电阻居中,输出电阻较大。

    因此,共集组态多用于多级放大电路的输入级或输出级或缓冲级。共基组态常用于高频或宽频带低输入阻抗的场合。而共射组态常用于放大电路的中间级。

共集电极放大电路

    共集电极放大电路(射级跟随器),如下图所示。

共集电极放大电路是从发射极输出信号的,信号波形和相位基本与输入相同,因而又称射极输出器或射极跟随器,简称射随器,常用作缓冲器使用。

    共集电极放大电路常作为电流放大器使用,它的特点是高输入阻抗,电流增益大,但是电压输出的帽度几乎没有放大,也就是输出电压接近输入电压,而由于输入阻抗高而输出阻抗低的特性,也常作为阻抗变换器使用。

电路反馈框图

    电路反馈框图,如下。

 反馈,就是把放大电路的输出量的一部分或全部,通过反馈网络以一定的方式又引回到放大电路的输入回路中去,以影响电路的输入信号作用的过程。

    放大电路静态工作点会随温度的变化而上下波动,其放大倍数不稳定,为了稳定放大电路的静态工作点,可采用分压式工作点稳定电路,在电路中引入一个直流电流负反馈。

    为了提高输入电阻,降低输出电阻,可采用射极输出器,在射极输出器电路中引入电压串联负反馈。

二极管稳压电路

    二极管稳压电路,如下图。

稳压二极管,是指利用pn结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管。

    稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多,反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时,反向电阻很大,反向漏电流极小。但是,当反向电压临近反向电压的临界值时,反向电流骤然增大,称为击穿,在这一临界击穿点上,反向电阻骤然降至很小值。尽管电流在很大的范围内变化,而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近,从而实现了二极管的稳压功能。

串联稳压电路

    串联稳压电路,如下图。

   串联型稳压电路,除了变压、整流、滤波外,稳压部分一般有四个环节:调整环节、基准电压、比较放大器和取样电路。

    当电网电压或负载变动引起输出电压V0变化时,取样电路将输出电压V0的一部分馈送回比较放大器和基准电压进行比较。

    其产生的误差电压经放大后去控制调整管的基极电流,自动地改变调整管集—射极间的电压,补偿V0的变化,从而维持输出电压基本不变。

差分放大电路

    差分放大电路,如下图。

    差分放大电路具有电路对称性的特点,此特点可以起到稳定工作点的作用,被广泛用于直接耦合电路和测量电路的输入级。

    差分放大电路有差模和共模两种基本输入信号,由于其电路的对称性,当两输入端所接信号大小相等、极性相反时,称为差模输入信号;当两输入端所接信号大小相等、极性相同时,称为共模信号。通常我们将要放大的信号作为差模信号进行输入,而将由温度等环境因素对电路产生的影响作为共模信号进行输入,因此我们最终的目的,是要放大差模信号,抑制共模信号。

    差分放大电路是直接耦合放大电路的基本组成单元,该电路对于不同的输入信号有不同的作用,对于共模信号起到很强的抑制作用,而对差模信号起到放大作用,并且电路的放大能力与输出方式有关。

场效应管放大电路

    场效应管放大电路,如下图。

 场效应管与晶体管一样,也具有放大作用,但与普通晶体管是电流控制型器件相反,场效应管是电压控制型器件。它具有输入阻抗高、噪声低的特点。

    场效应管的3个电极,即栅极、源极和漏极分别相当于晶体管的基极、发射极和集电极。

    MOS管能工作在放大区,而且很常见。做镜像电流源、运放、反馈控制等,都是利用MOS管工作在放大区。由于MOS管的特性,当沟道处于似通非通时,栅极电压直接影响沟道的导电能力,呈现一定的线性关系。由于栅极与源漏隔离,因此其输入阻抗可视为无穷大,当然,随频率增加阻抗就越来越小,一定频率时,就变得不可忽视。这个高阻抗特点被广泛用于运放,运放分析的虚连、虚断两个重要原则就是基于这个特点。这是三极管不可比拟的。

选频(带通)放大电路

    选频(带通)放大电路,如下图。

    选频放大电路通常位于接收系统的前端,放大的信号幅度小、频率高,亦称高频小信号谐振放大器或带通放大器。

运算放大电路

    运算放大电路如下图。

 电路中的运算放大器,有同相输入端和反相输入端,输入端的极性和输出端是同一极性的就是同相放大器,而输入端的极性和输出端相反极性的则称为反相放大器。

    同相输入的输入阻抗高,反相输入的输入阻抗低。同相输入的输入阻抗基本上由同相端并联的偏置电阻决定,这个电阻可以用得很大 ;反相输入时,由于有反馈电阻并联于反相端与输出端之间,这个反馈电阻不可能用得很大,所以反相输入的输入阻抗比较低。

差分输入运算放大电路

    差分输入运算放大电路,如下图。

    输出电压与运放两端的输入电压差成比例,能实现减法运算。常用作减法运算以及测量放大器。

电压比较器

    电压比较器是对输入信号进行鉴别与比较的电路,是组成非正弦波发生电路的基本单元电路。常用的电压比较器有单限比较器、滞回比较器、窗口比较器、三态电压比较器等。

    电压比较器它可用作模拟电路和数字电路的接口,还可以用作波形产生和变换电路等。利用简单电压比较器可将正弦波变为同频率的方波或矩形波。

RC振荡电路

    采用RC选频网络构成的振荡电路称为RC振荡电路,它适用于低频振荡,一般用于产生1Hz~1MHz的低频信号。电路由放大电路、选频网络、正反馈网络,稳幅环节四部分构成。主要优点是结构简单,经济方便。根据RC选频网络的不同形式,可以将RC振荡电路分为RC超前(或滞后)相移振荡电路和文氏电路振荡电路。

LC振荡电路

    LC电路,也称为谐振电路、槽路或调谐电路,是包含一个电感(用字母L表示)和一个电容(用字母C表示)连接在一起的电路。该电路可以用作电谐振器(音叉的一种电学模拟),储存电路共振时振荡的能量。

    LC电路既用于产生特定频率的信号,也用于从更复杂的信号中分离出特定频率的信号。它们是许多电子设备中的关键部件,特别是无线电设备,用于振荡器、滤波器、调谐器和混频器电路中。

石英晶体振荡电路

石英晶体是石英晶体谐振器的简称,将二氧化硅结晶体按一定的方向切割成很薄的晶片,再将晶片两个对应的表面抛光和涂敷银层,并作为两个极引出管脚,加以封装,就构成石英晶体谐振器。它具有非常稳定的固有频率。

    石英晶体的形状呈六角形柱体,需切割成适当尺寸之后才能使用。为得到不同振荡频率的石英晶体,加工时需采用不同的切割方法。将一个切割的石英晶体夹在一对金属片中间就构成了石英晶振,它具有压电效应,即在晶片两极外加电压,晶振就会产生变形:反之如果外力使晶片变形,则在两极金属片上又会产生电压,若加适当的交变电压,石英晶体便会产生谐振。当所加的交变电压频率恰为石英晶体自然谐振频率时,其振幅最大。

功率放大电路

    功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。它一般直接驱动负载,带载能力要强。功率放大电路通常作为多级放大电路的输出级。

二、几张动图搞懂三极管

  三极管的电流放大作用应该算是模拟电路里面的一个难点内容,我想用这几个动画简单的解释下为什么小电流Ib能控制大电流Ic的大小,以及放大电路的原理。

    我这里的三极管也叫双极型晶体管,模电的放大电路和数电的简单逻辑电路里面都会用到。有集电极c、基极b、发射极e、以及两个PN结:集电结和发射结。集电极面积比较大,基极厚度薄而且载流子浓度比较低。下图是个NPN型的三极管: 当发射结正偏时,电荷分布会发生变化,发射结宽度会变窄;相当于给电子打开了一扇e到b的大门集电结反偏时,电荷分布会也发生变化,集电结宽度会变宽。相当于打开了阻碍电子从c级跑出去的大门,如下方动画所示:

    b级会接一个大电阻RB限制电流Ib的大小,跑到b极的那些多余的电子就只好穿越集电结,形成电流Ic,如下方动画所示:

    如果基极电压翻倍,电荷分布会继续发生变化,发射结宽度会变得更窄,这扇大门变得更宽了,将会有更多的电子跑到b级。如下方动画所示:

    由于RB是大电阻,Ib就算翻倍了也还是很小,所以更多的电子会穿越集电结,让Ic也翻倍。如下方动画所示:

    两个直流电源是可以合并到一起的,再加上小信号ui和两个电容,就得到了放大电路,如下图所示:

    如果电阻大小合适,这个放大电路能够将小信号ui放大成相位相反的大信号uCE,如下方动画所示:

    红色为输入端,ui的变化会影响UBE,把发射结看成一个小电阻,红色的Q点就会沿黑线运动,然后画出iB的图像;根据iC=βiB,画出iC的图像,纵坐标从μA变成了mA;而输出端有UCE=UCC-ICRC,当UCC、RC不变时,UCE与IC反相。

  最后说说这些动画的不足之处吧:

  • 喇叭口一样的三极管并不是我的独创,这个链接也有,但水箱的比喻容易让人产生一种误解,认为IC最大,其实IE才是最大的电流。 whaosoft aiot http://143ai.com

  • 动画里完全忽略了电子的热运动速度,那个速度远大于电压作用下电子的漂移速度。

  • 动画里并没有体现出能级、能带、费米分布等内容。

三、PCB设计如何减少接地反弹

#1. 什么是接地反弹

地弹是一种噪声,当 PCB 接地和芯片封装接地处于不同电压时,晶体管开关器件会出现这种噪声。

为了更好地理解接地反弹,可以看下面的推挽电路,该电路可以提供逻辑低或者逻辑高输出。

推挽电路

该电路由 2 个 MOS 管组成:上方的 P 沟道 MOS管的源极连接到 Vss,漏极连接到输出引脚。下部 N 沟道 MOS 的漏极连接到输出引脚,源极接地。

这 2 种 MOS管类型对 MOS 管栅极电压具有相反的响应。MOS管的栅极处的输入逻辑低信号将导致P沟道MOS管将Vss连接到输出,并导致N沟道MOS管将输出与GND断开。

MOS管栅极处的输入逻辑高信号将导致P沟道MOS管将其Vss与输出断开,并导致N沟道MOS管将输出连接到GND。

将 IC 芯片上的焊盘连接到 IC 封装的引脚上是微小的键合线,这些必需品具有少量电感,由上面的简化电路建模。电路中当然也存在一定量的电阻和电容,这些电阻和电容没有建模,也不一定需要理解。

推挽电路

全桥开关的等效电路中显示了3个电感,电感符号代表封装电感(IC封装设计固有的电感),电路输出连接到一些元件。

想象一下输入在很长一段时间后保持在逻辑电平后遇到这个电路。这种状态会导致上部晶体管通过上部MOS管将电路的输出连接到Vss。经过适当长的时间后,LO和LA将存在稳定的磁场,并且ΔV O、ΔV A和ΔV B的电势差为0伏,迹线中将存储少量电荷。

一旦输入逻辑切换到低电平,上部 MOS管 就会断开 Vss 与输出的连接,下部栅极将触发下部 MOS管将电路的输出连接到 GND。

此时输入逻辑发生变化,结果在整个系统中移动。

#2、接地反弹的原因

输出和接地之间的电位差异电流从输出通过下部MOS向下移动到接地。电感利用存储磁场中的能量在 ΔV O和 ΔV B之间建立电势差,试图抵抗磁场的变化。

即使是电气连接,输出和接地之间的电位差也不会立即处于0V。记住,输出之间处于Vss,而MOS管 B 的源极之间处于0V电位。当输出线放电时,先前的电位差将导致电流流动。

在电流开始从输出流向接地的同时,封装的电感特性在 ΔV B和 ΔV O之间产生电势差,以尝试维持先前建立的磁场。

电感 LB和 LO 改变 MOS管 源极和漏极电势。这是一个问题,因为 MOS管 栅极电压以芯片封装上的地为参考。当电路在栅极触发阈值附近振荡时,输入电压可能不再足以保持栅极打开或导致其多次打开。

当电路再次切换时,一组类似的情况将导致在 ΔVA 上建立电势,从而将 MOSFET A 的源极电压降低到触发阈值以下。

#3、为什么接地反弹不好?

当输入改变状态时,输出和MOS管不再处于定义的状态,介于两者之间。结果可能是错误或双重切换。此外,IC芯片上共享相同 GND 和Vss连接的任何其他部门都将受到开关时间的影响。

但接地反弹的影响不仅限于IC芯片。正如ΔVB 迫使 MOS管 源极电势高于 0V 一样,它也迫使电路 GND 电势低于 0V。你看到的很多描述接地反弹的图像都显示了外部影响。

如果同时切换多个门,则效果会更加复杂,并可能完全破环电路。你可以在下面的示例中看到反弹。下图显示了连接并激活了显著GND和Vss反弹。

这里,开关期间在3.3V线路上产生约1V的噪声,该噪声在最终落入背景线路噪声之间继续在信号线路中明显谐振。 

噪声不仅限于正在开关的门。开关门连接到IC电源引脚,而PCB通常共享公共电源和接地轨。意味着噪声可以通过芯片上的 Vss 和接地的直接电气连接到 PCB上走线的耦合轻松传递到电路中的其他位置。在上图中,通道2(青色)显示无阻尼信号线中的接地和Vss反弹,该问题非常严重,以至于会传送到通道1上的另一条信号线(黄色线)

#4、减少接地反弹的方法

1、使用去耦电容1来定位接地反弹

减少地弹的首选解决方案是在每个电源轨和地之间安装SMD去耦电容,并尽可能靠近IC。远处的去耦电容具有很长的走线,会增加电感,因此安装在远离IC的地方对自己没有任何好处。当IC芯片上的晶体管切换状态时,会改变芯片上晶体管和本地电源轨的电位。

去耦电容为IC提供临时、低阻抗、稳定的电位并限制反弹效应,防止其扩散到电路的其余部分。通过电容靠近IC,可以最大限度地减少PCB走线中的电感环路面积并减少干扰。

混合信号IC通常具有独立的模拟和数字电源引脚,你可以在每个电源输入引脚上安装去耦电容。电容应该位于IC和连接到PCB上相关电源层的多个过孔之间。去耦电容应通过过孔连接到电源层

多个过孔是首选,但是由于PCB尺寸要求,通常是不可能的。可以的话,使用铜浇注或者泪滴来连接过孔,如果钻头稍微偏离中心,额外的铜有助于将过孔连接到走线。IC (U1) 和四个电容(C1、C2、C3、C4)的铜焊盘

C1 和C2 是用于高频干扰的去耦电容。根据数据表建议将 C3 和 C4 添加到电路中。由于其他平面的限制,过孔放置并不理想。

有时候,在物理上不可能将去耦电容放置在靠近IC的位置。但是,如果将其放置在远离IC的地方,则会产生电感环路,从而导致接地反弹问题更严重。

如果这样的话,可以将去耦电容放置在IC下方PCB的另一侧。实在不行,你可以使用相邻层上的铜在板内制造自己的电容,这样的电容被叫做嵌入式平面电容。由于PCB中由非常小的介电层隔开的平行铜浇注组成。这种类型电容的额外好处之一是唯一的成本是时间。

2、使用电阻限制电流

使用串联限流电流电阻来防止过量电流流入和流出IC。这不仅有助于降低功耗并防止设备过热,而且还能限制从输出线通过MOS管流向Vss和GND的电流,从而减少接地反弹。

3、使用布线来降低电感

如果可以的话,将返回路径保留在相邻走线和相邻层上,由于存在厚芯材料,电路板上第1层和第3层之间的距离通常是第1层和第2层之间距离的几倍。信号和返回路径之间任何不必要的分离都会增加该信号线的电感以及随后的地弹效应。

你可以看下图的PCB布局。模拟和数字接地分别以白色和黄色突出显示

该板具有单独的模拟和数字接地返回引脚,PCB的布局抵消了将他们分开的影响,IC的数字接地引脚与接头排上的接地引脚之间没有清晰且直接的路径。

信号将通过IC的迂回路径到达接头引脚,并通过接地引脚返回迂回路径。

4、通过编程和设计考虑减少接地弹跳

随着开关数量的增加,地弹干扰也会增加,如果可以的话,用短延迟偏移开关门。

例如:你的设计可能以不同的时间间隔(1 秒、2 秒、3 秒等)闪烁各种LED,以指示设计的状态。当所有3个LED同时切换时,地弹效应对电路的影响最大。

在这个例子中,你可以通过稍微偏移LED来减轻地弹的影响,使它们不完全同步。在LED之间引入1毫秒的便宜对于用户来说时感觉不到的,但会将地面反弹效应降低约3倍。

5、其他PCB布局设计原则

  • 在设计允许的情况下,尽可能使用焊盘内通孔。

  • 减少信号返回路径距离。距离的缩短将减少寄生电容。为了实现这一点,最好将组件放置在其接地点的正上方

  • 勿使用插座或绕线板

  • 勿共用接地过孔或走线进行接地连接。建议使用单独的过孔和走线连接到接地层。

  • 勿将电容直接连接到输出。

  • 实施低压差分信号(LVDS) 作为 /0 标准,该标准提供高带宽和高抗噪性.

  • 选择短引线封装以减少串联电感,还建议使用BGA。

  • 使用坚固的接地层来减少 IR 损耗和电感,避免地面分割平面

  • 如果设计允许,请尝试使用较低的开关元件

四、 造成PCB焊接缺陷的原因

电路板孔的可焊性影响焊接质量

    电路板孔可焊性不好,将会产生虚焊缺陷,影响电路中元件的参数,导致多层板元器件和内层线导通不稳定,引起整个电路功能失效。

    所谓可焊性就是金属表面被熔融焊料润湿的性质,即焊料所在金属表面形成一层相对均匀的连续的光滑的附着薄膜。影响印刷电路板可焊性的因素主要有:

  • 焊料的成份和被焊料的性质

    焊料是焊接化学处理过程中重要的组成部分,它由含有助焊剂的化学材料组成,常用的低熔点共熔金属为Sn-Pb或Sn-Pb-Ag。其中杂质含量要有一定的分比控制,以防杂质产生的氧化物被助焊剂溶解。焊剂的功能是通过传递热量,去除锈蚀来帮助焊料润湿被焊板电路表面。一般采用白松香和异丙醇溶剂。

  • 焊接温度和金属板表面清洁程度

    焊接温度和金属板表面清洁程度也会影响可焊性。温度过高,则焊料扩散速度加快,此时具有很高的活性,会使电路板和焊料溶融表面迅速氧化,产生焊接缺陷,电路板表面受污染也会影响可焊性从而产生缺陷,这些缺陷包括锡珠、锡球、开路、光泽度不好等。

翘曲产生的焊接缺陷

    电路板和元器件在焊接过程中产生翘曲,由于应力变形而产生虚焊、短路等缺陷。翘曲往往是由于电路板的上下部分温度不平衡造成的。对大的PCB,由于板自身重量下坠也会产生翘曲。

    普通的PBGA器件距离印刷电路板约0.5mm,如果电路板上器件较大,随着线路板降温后恢复正常形状,焊点将长时间处于应力作用之下,如果器件抬高0.1mm就足以导致虚焊开路。

电路板的设计影响焊接质量

    在布局上,电路板尺寸过大时,虽然焊接较容易控制,但印刷线条长,阻抗增大,抗噪声能力下降,成本增加;过小时,则散热下降,焊接不易控制,易出现相邻线条相互干扰,如线路板的电磁干扰等情况。因此,必须优化PCB板设计:

  • 缩短高频元件之间的连线、减少EMI干扰。

  • 重量大的(如超过20g) 元件,应以支架固定,然后焊接。

  • 发热元件应考虑散热问题,防止元件表面有较大的ΔT产生缺陷与返工,热敏元件应远离发热源。

  • 元件的排列尽可能平行,这样不但美观而且易焊接,宜进行大批量生产。电路板设计为4∶3的矩形最佳。导线宽度不要突变,以避免布线的不连续性。电路板长时间受热时,铜箔容易发生膨胀和脱落,因此,应避免使用大面积铜箔。

    综合上述,为能保证PCB板的整体质量,在制作过程中,要采用优良的焊料、改进PCB板可焊性以及及预防翘曲防止缺陷的产生。

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