在22年7月份有一件震惊存储圈的事情，那就是Intel说要放弃Optane产品线，包括PMEM和SSD两个方向都要放弃。存储圈看到听到这个消息也是一脸的茫然。
在Optane产品发布之前，大家针对DRAM和SSD之间的性能gap一直在苦苦找寻合适的产品。SCM存储级内存一直在不断的研究中，MRAM，ReRAM，PRAM等等。
3D Xpoint（其实也是PCM，相变存储器）出现，凭借低延迟的优势，填补了NAND和DRAM之间的性能和延迟差距。但是，由于成本营收的问题，Intel也被迫放弃了Optane这个产品。
之后，业内也在积极寻找各种替代方案
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Kioxia推出XL-Flash，基于BiCS 3D SLC/MLC NAND，16 plane架构，快速读写，寿命也接近Optane。
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三星推出基于Z-NAND技术开发，DWPD达到30（Optane DWPD在100以上），AIC插卡的形式实现。
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国产厂商DapuStor大普微PCIe 4.0存储级内存Xlenstor2 SCM系列，目前已经发布了2代，最新一代X2900P型号，DWPD达到100.
XL-Flash、Z-SSD、X2900P虽然都可以称为SCM，但是由于都是基于NAND而来的产品，相对Optane介质的差距还是很大，特别是NAND有的读干扰、写干扰等效应、GC垃圾回收/WL磨损均衡等均不可避免，QoS的性能稳定性相对Optane很大。只能作为Optane退而求其次的选择。
接着业内，又出现了基于持久化内存Persistent Memory的角度Optane替代方案：NVDIMM和CXL会成为下一个选择
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NVDIMM-N实现原理就是增加NAND Flash，在数据掉电的时候，数据可以通过NVDIMM控制器下刷到NAND Flash保证数据非易失的特性。
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随着新的互联协议CXL(Comupte Express Link)的火热，内存互联的需要越来越多，使用CXL实现内存分层存储提供了一种替代的架构体系。
扩展阅读：
业内还在进行多种探索，据小编不完全信息了解到，截至目前，业内还没有一款成功替代Optane的产品出现。大家的眼光，好像又回到了Optane的本质PCM。
扩展阅读：下一代低功耗PCM相变存储器
首先，让我们来回顾一下PCM的原理。它的核心是由一种特殊的相变材料构成的，这种材料有个特点，就是当温度达到一定高度时，它的晶体结构会发生变化，也就是相变。而这个相变过程是可以逆转的，所以利用这个特性，我们就可以储存和读取数据了。具体来说，就是通过加热让相变材料从晶体状态变成非晶体状态，或者从非晶体状态变成晶体状态，从而储存和读取数据。
PCM的优点呢，主要有以下几点。首先，它读写速度非常快，比传统的闪存快了好几倍。其次，它的能效非常高，因为它只消耗很少的能量来完成读写操作。再次，它的耐久性也非常好，可以承受大量的读写操作，这就意味着PCM的寿命很长。
去年小编也注意到国产3D-NAND制造商长江存储在发力PCM的研究，在23年8初月看到有一个长江存储关于PCM制造的相关专利公开了。这个专利在2020年申请的，代表长江存储很早就开始布局PCM了，市场上还没关于长江存储有关PCM的新闻或者产品。
今年刚刚过去的9月份，国产无晶圆厂半导体初创公司新存科技（Numemory，根据其官网的介绍，这家公司成立了2022年）正在发布了一款新型的存储级内存（SCM）芯片，该芯片采用了类似Optane的相变存储器（PCM）和交叉阵列技术。
在存储级内存SCM领域，磁阻、铁电、阻变、相变存储器都有要求：
根据其官网公开数据显示，截止2023年7月，公司已在新型存储器领域积累了显著的科研成果，已形成发明专利合计273件，国际专利60件，中国专利213件；已获授权中国专利51件；已获授权集成电路布图设计11个。
2024年9月23日，新存科技(武汉)有限责任公司宣布，成功推出新型存储器产品芯片“NM101”。“NM101”单颗芯片容量高达64Gb，支持随机读写，相比同类产品，读写速度均可提升10倍以上，寿命也可增加5倍。
NM101芯片的技术规格显示，接口速率达到3200 MT/s。新存科技声称NM101具有低延迟，但目前尚未公开的IOPS/延迟数值。
根据其官网信息显示，NM101预计在2024年底实现小规模量产。注意这里只是一个介质芯片，如果要市场看到成品，还得需要搭配对应的控制器（不管是消费级或者企业级）。这样的话，乐观估计在2025年可能才有对应的SSD产品问世，拭目以待！
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