MSP430F5438A 内存Flash 读写操作

http://blog.csdn.net/u013025203/article/details/54138190

1、msp430的存储结构采用冯.依曼结构，即RAM和Flash在同一个寻址空间内统一编址，没有代码空间和数据空间之分。

2、Flash是以段为为基本结构进行存储的。总体上分三部分：

           Flash主存储区：  用于存储程序代码，被分成4个扇区，每个扇区分128seg, 每个seg段 大小为 64 * 1024 / 128 = 512B。  Flash控制器可以以位、字节、或者

                                         字的格式写入Flash控制器。但是控制器最小的擦除单位是段 。

           BSL存储区：   是存储器的引导加载存储器，可以用于存储引导加载程序，分4段，每段512B，每段可以单独擦除、

           信息存储区：  主要用于存储需要掉电后永久保存的数据，分4段，每段128B。 每段可以单独擦写。

3、Flash内存模型

4、内存组织