区别 |
DDR2 |
DDR3 |
DDR4 |
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性能区别 |
标准电压 |
1.8V |
1.5V/1.35V |
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等效频率1 |
DDR2-400\533\667\800 |
DDR3-1333\1600\1866\2133 |
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容量2 |
最小256Mb |
最小1Gb |
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封装3 |
60(×8)、84(×16) |
78(×8)、96(×16) |
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预取 |
4位 |
8位 |
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L-Bank |
4、8 |
8 |
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参考电压4 |
VREF |
VREFCA、VREFDQ |
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新增功能(DDR3相较于DDR2) |
根据温度自刷新5 |
无 |
SRT、ASR功能 |
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ZQ校准6 |
无 |
ZQ功能 |
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重置7 |
无 |
Reset功能 |
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点对点连接8 |
无 |
P2P功能 |
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1、DDR2的等效频率多为667M和800M,DDR3的等效频率多为1600M、1866M、2133M,DDR3也有其他的一些频率,如800M和1033M;
2、关于内存容量:通过查询镁光(Micron)和芯成(ISSI)的内存芯片得出的结论;
3、“×8”代表8位数据线的内存,DDR2的封装主要为60和84ball的FBGA,DDR3主要为 78和96ball的封装,因为DDR3比DDR2多了几个功能引脚;
4、VREFCA为命令和地址信号的参考电压,VREFDQ为数据总线的参考电压,这样有效的提高了系统数据总线的信噪等级;
5、如果未超过85°C的正常外壳温度限制,则既不需要SRT也不需要ASR,并且在整个操作过程中都可以禁用两者。但是,如果需要95°C的扩展温度选项,用户需要在(手动)刷新期间提供2倍的刷新率,并使SRT或ASR能够确保以2倍速率执行自刷新。
SRT强制DRAM将内部自刷新率从1x切换到2x。不管外壳温度如何,以2倍刷新率执行自刷新。
ASR是根据芯片外壳温度动态的调整自刷新率,ASR的另一个缺点是DRAM在85°C的精确外壳温度下不能始终从1x刷新到2x刷新率,有可能在低于85°C时就切换了。
由于只需要一种模式,SRT和ASR不能同时启用。
6、通过将专用的240Ω(±1%)外部电阻从ZQ引脚连接到VSSQ,则ZQ校准命令用于校准DRAM的输出驱动器(RON)和ODT值(RTT);
7、用于复位DRAM,且是异步信号;
8、为了提高系统性能而进行的重要改动。