1.基本概念
本征半导体：将纯净的半导体经过一定的工艺过程制成的单晶体。
杂质半导体：在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素。掺入五价元素（如磷），得到N型半导体（N-negative）；掺入三价元素（如硼），得到P型半导体（P-positive）。
载流子：运载电荷的粒子。对本征半导体来说有两种，自由电子和空穴。
PN结：将P型半导体和N型半导体制作在同一块硅片上，在交界面形成PN结。
多子：多数载流子。N型半导体中为自由电子，P型半导体中为空穴。少子则相反。
2.PN结
2.1PN结的形成
扩散运动：由于浓度差而产生的运动。
漂移运动：在电场力作用下，载流子的运动。
在P区和N区交界处，在扩散作用下，如图a所示，P区的空穴向N区扩散，N区的自由电子向P区扩散。在交界面，空穴和自由电子复合，多子浓度下降，分别在P区产生负离子区，N区产生正离子区，它们是不能移动的，被称为空间电荷区，从而形成内电场。随着电场强度的增强，扩散运动会受到抑制。在内电场作用下，少子产生漂移运动，并与扩散运动的多子达到动态平衡，从而形成PN结。