多摩川读写EEPROM以及并口实现

设计需求:增加对编码器EEPROM的读写功能

硬件版本:控制板(ARM与FPGA并口通讯) 多摩川编码器(只包括17bit与23bit),

软件版本:ARM与CPLD采用并口通讯,8bit地址,16bit数据(以电流环周期为一个数据周期)

设计思路:         

  1. 电流环周期为一个通讯周期,新增并口地址EEPROM,用于写编码器EEPROM地址和数据,具体数据分配见下;
  2. 由于要写入的地址为16位,且每个地址对应的数据长度不等,所以以8bit数据重新扩展地址;
  3. 由于EEPROM每一个8位地址存一个8位数据的数据格式,所以并口16位数据刚好分为数据组(EDF)和地址组(ADF),EDF为高八位,读地址时,只取第八位ADF,PD组中低位数据对应较位地址;
  4. 图1,2是EEPROM的具体数据结构,与读编码器位置(图3)的数据结构不同的,所以新增以下规则:每一次的写或者命令需要8bit地址(ADF)与8bit数据(EDF)(读命令只需要ADF),并口ADF和EDF都由并口的16数据传过来,其并口的对应的数据地址为EEPROM。数据从原有地址ABS_CF_SF,ABS_DF0_DF1 返回,具体操作见图4和图5;
  5. 5.  数据有并口转到ARM,并口相关通讯方式不做介绍

 

 

                                                                             图1:写编码器EEPROM的数据结构

 

 

                                                                           图2:读编码器EEPROM的数据结构

 

                                                                            图3:读编码器位置的数据结构 

 

 

 

                                                                                      图4:写EEPROM时并口具体操作

 

 

 

 

                                                                                     图5:读EEPROM的并口具体操作

 

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转载自www.cnblogs.com/tangbo2018/p/9834600.html
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