S5PV210简介
S5PV210是基于ARM Crotex-A8架构32位CPU的微处理器。
内部拥有32根地址线和32位数据线，32根地址线决定了CPU的地址空间最大为4G，这4G的内存空间如何分配，就是内存映射
S5PV210内存映射
S5PV210 datasheet中section 01_02章节 MEMORY MAP有讲。
内存分布图如下
内存分布表如下
专业名词解释
ROM : Read Only Memory 只读存储器（只不能直接通过地址总线更改数据的存储器）
RAM : Ramdom Access Memory 随机访问存储器 （随机存储器，指可以随便在任何一个地址读写数据，例如内存；与之对应的是顺序存储器，必须按照顺序进行读写，想读取第二个数据，必须先读出第一个数据，再读出第二个数据，例如Flash）
IROM ： Internal ROM 内部ROM，集成在SOC上的ROM
IRAM ： Internal RAM 内部RAM，集成在SOC上的RAM
DRAM ： dynamic RAM 动态RAM(电容式存储，需要不断刷新才能保存数据)
SRAM ： static RAM 静态RAM（具有静态存取功能，不需要刷新电路）
DRAM和SRAM的区别：
SRAM优点：速度快，使用简单，不需要刷新，静态功耗极低。
缺点：元件数多，集成度低，运行功耗大。
DRAM优点：集成度远高于SRAM，功耗低，价格便宜
缺点：需要刷新，外围电路复杂，刷新也使存取速度较慢。
1、DRAM和SRAM的区别：
2、SRAM优点：速度快，使用简单，不需要刷新，静态功耗极低。
3、缺点：元件数多，集成度低，运行功耗大。
4、DRAM优点：集成度远高于SRAM，功耗低，价格便宜
5、缺点：需要刷新，外围电路复杂，刷新也使存取速度较慢。 SDRAM ： synchronous dynamic random access memory 同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。
SROMC_BANK0 ： SROM contrler BANK0 (SROM 控制器单元0）。
DMZ是英文“demilitarized zone”的缩写，中文名称为“隔离区”，也称“非军事化区”。
S5PV210内存映射讲解
DRAM0 DRAM1 说明S5PV210能够外接两块内存芯片，支持的最大地址空间分别是 512MB和1GB，也就是说最大支持1.5G的内存。
SROMC_BANK0 - SROMC_BANK5,是六个SROM控制器单元，能够外接六个SROM器件，如 网卡芯片等。
此外还有两个 IROM&IRAM，具体分布情况如下
零地址处 IROM&IRAM，其实并不存在，而是映射自0xD000_0000 - 0xD800_0000的IROM&IRAM，或者SROM_BANK0-SROM_BANK5，从而可以选择多种启动方式。