如果对SDRAM原理以及时序不是很了解的朋友，推荐看一下如下这篇文章：
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SDRAM的工作过程：
（1）初始化：
上电后进入200us的输入稳定期，空操作（NOP）
向SDRAM发送1次（1个时钟周期）预充电(precharge)命令，然后保持N个时钟周期NOP操作（N值可查芯片具体SDRAM芯片手册，与SDRAM工作的时钟频率有关）
向SDRAM发送8次刷新(refresh)命令，具体发送过程后面会介绍
设置SDRAM工作模式寄存器
初始化完毕
（2）开始读写操作
（3）自刷新
除了上述操作外，还有一个周期性的操作就是自刷新。拿我使用的芯片来说，需要每15us进行一次自刷新操作。(15us*4096=61.44ms < 64ms，为什么这么设置，请参考终极内存技术指南)
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实现方法：
| CKE |
CS_n |
RAS_n |
CAS_n |
WE_n |
通过上面五线的搭配输出，可以实现SDRAM控制。
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SDRAM的命令（_n结尾的信号代表低电平有效)
| SDRAM命令 |
|||||
| CKE |
CS_n |
RAS_n |
CAS_n |
WE_n |
|
| 空操作（NOP） |
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
| 预充电（PRE） |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
| 刷新 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
| 行有效 |
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
| 开始读 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
| 开始写 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
| 模式寄存器设置 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
下面贴几张初始化相关的图片：
模式寄存器设置！！！
我的模式寄存器设置值为: 0x023，对应到上图可以看出，我的选择为：
操作模式：突发读/突发写
潜伏期：两个时钟周期
突发传输方式：顺序
突发长度：8 （SDRAM芯片：4Block，1M*16bit，共64Mbit）故突发长度8代表每次读或写命令传输的数据量为8*位宽=8*16bit=128bit=16字节（暂不考虑数据掩码DQM）
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波形1：PLL完成初始化
红色的波形为和命令有关的信号（5个）。我把它们放到一组为了便于观察，可以看到，在400ns处，时钟有效信号CKE变高，片选信号CS_n变低，SDRAM开始动作，参考命令表，SDRAM启动后的命令为：10111，即NOP操作，这一过程要持续近200us，称之为输入稳定期
波形2：预充电，对应命令10010以及
8次刷新操作，对应命令10001，注意每个命令之后都有执行一段时间的NOP操作，这使得SDRAM有时间执行命令。
波形3：模式寄存器设置，可以看到，命令为10000，此时SDRAM_BA[1:0]以及地址线SDRAM_ADDR[11:0]的值分别为0以及0x033（我真实器件使用的是0x023，仿真的时候选择错了，不过不影响看波形），从这幅图中应该可以很清楚的看到，SDRAM时钟频率为100Mhz，同时与FPGA的SDRAM控制器的100MHZ时钟存在相位差（延迟-90reg），这是必要的。
因为，在SDRAM控制时钟上升沿，产生命令，然后在随后的SDRAM时钟上升沿，命令已经稳定了，这样就方便了SDRAM顺利的取得命令。数据传输也是同样的道理。仿真中我选择的相位差为72度
波形4：写SDRAM数据，结合上一篇文章中的FIFO操作，这个波形应该很容易理解了，最后两行：
sys_data_in是FIFO传递给SDRAM控制模块的数据，
sdram_data是SDRAM的数据总线，两者之间有1个时钟周期的延时。
从图中可以看出，首先SDRAM控制器发出了行有效命令(10011)，选中了第0个逻辑块的第0行，然后在两个时钟周期后，发出了写命令(10100)，列地址为0，同时不加延迟的把第一个数据0x0000放在了sdram的数据总线上，该命令执行一次，可以看到写入了8个16bit数据，这也就对应了前面所说的突发长度。
此外，细心的朋友可以看到，在写命令时，地址线的值为 0x400，其中的4对应 A10，给它设置1，表示允许自动预充电。
那么什么是自动预充电呢？
SDRAM在每次读取操作后，逻辑为1的数据被读取后会放电，很有可能会导致其逻辑值变为0，故，需要再写入数据，保证读取后值不丢失。所以，自动预充电还是蛮必要的。
波形5:15us一次的自刷新。。对应命令10001。从图中可以看出，一旦SDRAM开始运行，自刷新将遍布在SDRAM的整个生命周期中，15us一次，不多不少。这是维持SDRAM稳定工作的动力源泉。