快恢复二极管从名称上很好理解，肖特基二极管是以人名命名，由于制造I艺完全不同，是肖特基博士的一个创新。
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基二极管
(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管和快恢复二极管在物理结构上是不一样的。肖特基二极管的阳极是金属，阴极是N型半导体;快恢复二极管基本结构仍然是普通的PIN二极管，即阴阳极分别为N和P型半导体。物理结构决定了两者的电特性。
1.肖特基二极管耐压较低，通常在200V以下,同等耐压，相同电流下，肖特基二极管的正向压降低于快恢复二极管。
2.肖特基二极管载流子只有电子，理论上没有反向恢复时间，而快恢复二极管本质上和PIN二极管-一样，是少子器件的反向恢复时间通常在几十到几百ns。
3.额定反向耐压下，快恢复二极管的反向漏电流较小，通常在几uA到几十uA;肖特基二极管的反向漏电流则通常达到几百uA到几+mA，且随温度升高急剧增大。