arm启动方式有从norfalsh启动、nandflash启动、SD卡启动和UBS启动等，但是他们的启动原理都是大同小异的。
开始之前，先理清几个概念：
SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)：同步动态随机存取存储器，同步是指Memory工作需要步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写，简单的说，它就是cpu使用的外部内存，即我们常说的内存条。
SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据，速度比SDRAM快，一般用作高速缓冲存储器（Cache）。
norflash:非易失闪存,是一种外部存储介质，芯片内执行(XIP,eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中，由于它有地址总线，cpu可以直接从norflash中取指，直接从FLASH中运行程序，但是工艺复杂，价格比较贵，容量较小（1~4M），NOR的传输效率很高
nandflash：它也是非易失闪存（掉电不丢失）的一种，但是它虽然有数据总线，但是没有地址总线，所以cpu不能直接从男的法拉盛中取指运行，由于它价格便宜，所以常常用来存储大量数据，和我们常说的硬盘类似。
一、 Nandflash启动
首先必须把一个正确的bootloader烧写到nandflash的最低位置，即从0x000000开始烧写。当我们选择从nandflash启动开发板的时候，开发板就会启动连接nandflash的电路结构，开发板一上电的时候，Nand Flash控制器会自动的把Nand Flash上的前4K数据搬移到CPU的内部RAM中（SRAM）,这个内部RAM我们通常称作stepping stone，同时把这段片内SRAM映射到nGCS0片选的空间（即0x00000000），CPU从内部RAM的0x00000000位置开始启动，这个过程是不需要程序干涉的。
这个过程就是启动过程的stage1,它将nandflash的前4看内容拷贝到stepping stone中，然后从stepping stone的第一条指令开始执行，这4k内容里面的指令将会完成以下几个动作：
1.硬件设备初始化
2. 加载U-Boot第二阶段代码到SDRAM空间
3. 设置好栈
4. 跳转到第二阶段代码入口
1.刚开始bank0~bank5是只能映射SROM的，而bank6和bank7才能够接SDRM，而且每个bank最大接128M的SDRM，所以决定了S3C2440的最大可外接SDRAM是256M；
2.从图中我们可以看到bank6的起始地址是0x3000_0000, 所以我们在执行stage1的第二个动作（加载U-Boot第二阶段代码到SDRAM空间）时，需要将uboot代码放到0x3000_000~0x4000_0000区间内（SDRAM内），才能从SDRAM中正常执行stage2；
3.当没有选择从nandflash启动时，Boot internal SRAM（4k）的起始地址是0x4000_0000, 当选择从nandflash启动时，Boot internal SRAM（4k）的起始地址是0x00, 因为我们的开发板没有外接SROM，所以bank1~bank5都是空闲的，而bank0的位置将被Boot internal SRAM（4k）替代，也就是说bank0的前4k就是stepping stone（起步石），板子上电以后，在nandflash的启动模式下，S3C2440在硬件上会完成下图中的地址映射，并自动将nandflash中的前4k拷贝到stepping stone中，并从stepping stone的开始地址(0x00)获取到第一条指令并执行。
前面说了nandflash启动过程中第一个代码搬移，下面将解析第二个代码搬移，这4k代码首先会设置cpu运行模式，关看门狗，设置时钟，关中断，初始化内存，初始化nandflash，设置堆栈，然后将整个bootload搬运到SDRAM中，并跳转到SDRAM中执行。
二、norflash启动
其实理解了nandflash的启动方式，norflash的启动也就好理解多了，首先需要知道的是norflash是可以在片上执行代码（XIP）的，也就是说，我们只需要将bootload烧写到norflash的开始地址，当开发板上电以后，从内存映射图可以知道，nor flash会被映射到0x00000000地址（就是nGCS0，这里就不需要片内SRAM来辅助了，所以片内SRAM的起始地址还是0x40000000，不会改变），然后cpu从0x00000000开始执行（也就是在Norfalsh中执行）整个uboot，直到引导内核启动。
从norflash启动可以省事多了，不仅如此，我们自己编写的裸机程序需要调试，一般也是直接烧写到norflash中进行的，因为只要我们将编译好的可执行文件放到norflash的开始，开发板上电以后就会从norflash的第一条指令开始取指执行，我们后面写裸机程序的调试就是用这种方式进行的。
从norflash启动虽然从开发的角度会很方便（其实也方便不了多少），但是从产品的角度却增加了它的成本，毕竟norflash还是相对较贵的，我们明明只要一块nandflash就足够启动整个开发板了，就没必要在产品中添加一块norflash了，只要代码改改就能省下不少成本，何乐不为。而且nandflash对产品是必不可少的，因为后面还要存放内核和文件系统，起码需要几十兆的空间，用norflash来存储也不现实。
也许你会想，能不能只用norflash，不用nandflash和SDRAM行不行呢，毕竟norflash即可以存储，也可以运行程序的啊，从理论来说是可以的，但是了解一下他们的市场价格、运行速度和工作原理，应该就会知道答案了。
注释：stepping stone是三星MCU的一种启动方式，s3c2440的MMU有一种“steppingstone”.技术，是协助MCU从无法执行程序的NAND FLASH执行启动程序的一种方法。
1、系统上电后,首先自动判断是否是autoboot模式，如果使用 s3c2410是带有nandflash的,并且被设置成autoboot,从nandflash开始启动.
2、在判断是autoboot模式后,mcu内置的nandflash控制器自动将nandflash的最前面的4k区域(这4k区域存放着 bootloader的最前面4k代码)拷贝到samsung所谓的"steppingstone"里面(steppingstone是在S3C2440 中，实际上是一块4k大小的SRAM，).
3、在拷贝完前4k代码后,nandflash控制器自动将"steppingstone"映射到arm地址空间0x00000000开始的前4k区域.
4、在映射过程完成后.nandflash控制器将pc指针直接指向arm地址空间的0x00000000位置,准备开始执行"steppingstone"上的代码.
5、而"steppingstone"上从nandflash拷贝过来的4k代码,是程序员写的bootloader的前4k代码.这个 bootloader在之前写好,并已经被烧写到nandflash的0x00000000开始的最前面区域..而这"steppingstone"上的 4k代码就是bootloader的前4k代码.
6、在pc指向arm地址空间的0x00000000后,系统就开始执行指令代码.这4k代码的任务是:初始化硬件,设置中断向量表,设置堆栈,然后一个很重要的任务是,将nandflash的最前面区域的bootloader(包含4k启动代码)拷贝到SDRAM中去,bootloader代码的大小是写好bootloader就确定的.然后只需要确定bootloader想映射到SDRAM的起始位置就ok.
7、在完成对nandflash上的bootloader搬移后,找到4k代码的搬移代码最后一个指令的下一个指令在SDRAM的bootloader的地址,然后跳转到该位置,继续执行bootloader的剩余代码(引导系统).