SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。
SLC 利用正、负两种电荷 一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命，
MLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，SLC-MLC【容量大了一倍，寿命缩短为1/10】。
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。
TLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，MLC-TLC【容量大了1/2倍，寿命缩短为1/20】。
NAND Flash、NOR flash 和EEPROM 的主要特点和差异：
a. EEPROM：这种rom 的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit 中
写入0 或者1。掉电后数据不丢失，可以保存100 年，可以擦写100 万次。具有较高的可靠
性，但是电路复杂/成本也高，所以容量一般较小；
b. Flash 在擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，一次简化了电路，数据密度更
高，降低了成本。Flash 分为Nor Flash 和Nand Flash，Flash 的寿命一般只有10 万次左右；
c. NOR Flash 数据线和地址线分开，可以实现ram 一样的随机寻址功能，可以读取任何
一个字节。但是擦除仍要按块来擦；
d. NAND Flash 同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址，
读取只能按页来读取（NAND Flash 按块来擦除，按页来读，NOR Flash 没有页）；
e. 由于Nand Flash 引脚上复用，因此读取速度比NOR Flash 慢一点，但是擦除和写入速
度比NOR Flash 快很多。NAND Flash 内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低。
因此大容量的Flash 都是NAND 型的。小容量的Flash 多是NOR 型的。
f. 使用寿命上，NAND Flash 的擦除次数是NOR 的数倍。而且NAND Flash 可以标记坏块，
从而使软件跳过坏块。NOR Flash 一旦损坏便无法再用。
g. 因为NOR Flash 可以进行字节寻址，所以程序可以在NOR Flash 中运行。嵌入式系统
多用一个小容量的NOR Flash 存储引导代码，用一个大容量的NAND Flash 存放文件系统和内
核。