1.存储器常识
按照掉电后数据是否会丢失，将嵌入式存储器分为两大类：随机存储器RAM和只读存储器两种。RAM和ROM都是半导体存储器，RAM通常时在掉电后数据就丢失了，典型的RAM就是计算机内存；而ROM在系统停止供电时依然可以保存数据，比如电脑里的硬盘。
内存的工作原理：内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的“动态”，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
嵌入式代码编译后，程序为RO段，数据分为ZI为没有初值的全局变量段，RW为有初值的全局变量段。
在MDK工程编译完成之后，双击工程打开.map文件，可以查看ROM和RAM使用情况，如下图：
Code是代码占用的空间，RO-data是 Read Only 只读常量的大小，如const型，RW-data是（Read Write） 初始化了的可读写变量的大小，ZI-data是（Zero Initialize） 没有初始化的可读写变量的大小。ZI-data不会被算做代码里因为不会被初始化，只是在代码运行时占用RAM空间。
简单的说就是在烧写的时候是FLASH中的被占用的空间为：Code+RO Data+RW Data
程序运行的时候，芯片内部RAM使用的空间为： RW Data + ZI Data
初始化时RW-data从flash拷贝到RAM
2.RAM（Random Access Memory）
随机存取存储器，也叫“随机存储器”，是在CPU处理过程中直接与CPU交换数据的内部存储器，也叫主存（内存）。读写速度快，但是在系统断电后，数据会丢失，主要用于存储短时间使用的程序。
2.1 SRAM（Stataic RAM）
静态随机存储器，是一种具有静止存取功能的内存，SRAM采取多重晶体管设计，不需要刷新电路既能保存它内部存取的数据，特点为高性能、集成度低、速度快。
特点：速度非常快，是目前读写速度最快的存储设备，价格昂贵，不适合做大容量内存，一般用在处理器的缓存。
像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的。
2.2DRAM（Dynamic RAM）
动态随机存储器，动态是指存储阵列需要周期性刷新，以确保数据不丢失。DRAM中每个存储单元由配对出现的晶体管和电容构成，基本原理是利用电容存储的电荷量来代表0和1，会存在漏电导致电位差消失（1变成0），所以每过一段时间需要根据里面的内容充电（即刷新），刷新过程中不能读写。
特点：速度比SRAM慢，但还是比所有ROM都快，价格别SRAM便宜很多，计算机内存就是DRAM。
2.3 SDRAM（Synchronous Dynamic RAM）
同步动态随机存储器，同步是指内存工作需要的同步时钟，内部命令的发送与数据的传输都以它为基准。
SDRAM是DRAM中的一种，增加了同步时钟，提高了读写速率。
SDRAM的发展从现在已经经历了五代，分别是：第一代SDR SDRAM；第二代DDR SDRAM；第三代DDR2 SDRAM；第四代DDR3 SDRAM；第五代DDR4 SDRAM。
2.4 DDR RAM（Double Data Rate RAM）
双倍数据速率随机存储器，也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
2.5总结
从速度的角度来说，DRAM/SDRAM需要刷新和回写，速度比不上SRAM，所以CPU的缓存是SRAM，主内存用SDRAM。
从省电的角度来说，DRAM/SDRAM要刷新，比较费电，而省电设计的SRAM只要一个纽扣电池就可以保存数年之久。
那什么情况下用SDRAM???和DRAM？？？
3.ROM（Read Only Memory）
只读存储器，断电后信息保存。最初ROM内部资料是在ROM制造的工序中，在工厂里用特殊的方法烧录进去，其内容只能读不能写。
后来出现了PROM（Programmable ROM，可编程ROM），最初从工厂中制作完成的PROM内部没有数据，用户可以用专用的编程器将自己的数据写入，但只能写一次，以后不能再做擦出进行修改，写错就废了，基本用的很少了。
后来又出现了可多次擦出重写的EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编写ROM）。EPROM芯片有一个很明显的特征，在其封装上可以看到一个玻璃窗口，透过窗口，可以看到内集成电路，该窗口就是提供给紫外线通过该孔照射到内部数据，完成数据擦除。EPROM在写入数据后，还要用不透光的封条把窗口封住，以免在使用时遭到其他紫外线照射导致数据丢失，操作起来很麻烦，也是比较古老了。
3.1EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）
可电擦除可编程ROM，EEPROM的擦出不需要借助于其他设备，而是以电子信号来擦除的，其擦出单位是Byte，所以不必将数据全部擦出后才能重新写入。
举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通过记录（通话记录保存在EEPROM中），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。
3.2 FLASH
FLASH存储器又称闪存，属于广义的EEPROM，因为Flash本身也是电擦除的ROM，在使用上也类似与EEPROM。但是为了区别于一般的按字节为单位擦写的EEPROM，我们称之为Flash，因为Flash的擦除不是以字节为单位，而是以块为单位（256字节）。
FLASH它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。
Flash分为NOR Flash和NAND Flash。
注意：往FLASH中写入数据时，只能由1写0，不能由0写1。所以在写FLASH时，需要先擦除扇区，也就是全部写1，然后再写入数据。
3.3NOR Flash
NOR Flash采用并行接口，有自己的地址线和数据线，可以采用随机访问方式，但是擦除仍要以块来擦除，NOR Flash可以在芯片内执行，所以NOR Flash可以直接用来做boot引导。
NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。
提示：芯片内执行不是说程序在Flash内执行，CPU的基本功能是取指、编译、执行。NOR Flash能在芯片内执行，是指CPU的取指模块能够直接从NOR Flash中把指令取出来，供后面的编译和执行模块使用。
特点：读取速度比NAND Flash快，但擦出速度较慢，集成度低，成本高。
现在的NOR容量一般在2M左右，一般用在代码量小的嵌入式产品方面。ARM9开发板上可见。
3.4NAND Flash
NAND Flash是IO设备、数据、地址、控制线共用的，需要软件来控制读取时序，按页读取、按块擦除、不适合XIP，因此不能直接做为boot。
NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。
NAND不是不能XIP，只是不适合做XIP。
XIP：executed in place，本地执行。操作系统采用这种系统，可以不用将内核或执行代码拷贝到内存，而直接在代码的存储空间直接运行。采用这样的技术既可以节省可用内存又可以减少加载的时间。
3.5eMMC
eMMC（Embedded Multi Media Card）采用统一的MMC标准接口，把高密度NAND Flash以及MMCController封装在一颗BGA芯片中。eMMC具有快速、可升级的特点。
就是为了简化存储器使用，将NAND Flash和控制芯片设计成1颗MCP（存储器芯片），开发者只需要采购eMMC芯片，不需要其他复杂的NAND Flash兼容性和管理问题，最大的优点是缩短新产品的上市周期和研发成本，加速产品的推出和更新速度。
3.6总结
NAND Flash按块擦除、按页来读，NOR Flash没有页。
NOR Flash适合做代码存储并XIP的，NAND Flash适合用来做大量数据存储的。NOR Flash的读取速度比NAND Flash稍快，但擦写速度比NAND Flash慢得多。
一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的“闪盘”，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel（英特尔），AMD（超威半导体），Fujitsu（日本富士通）和Toshiba（东芝），而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung（三星）和Toshiba（东芝）。