一、SDRAM 工作原理解析
首先还是拿 SDRAM 工作的内部状态机图来看看：
粗线表示自动跳转，细线表示满足条件才跳转。经过前面的设计我们此时来到了 IDLE 状态，要完成写模块设计就要考虑两个问题：
1、IDLE 状态到 WRITE 状态
① 在 IDLE 状态需要先给 ACT 命令激活某一行，此时处于 Row Active 状态。
② 在 Row Active 状态之后，给 Write 命令则会进入 WRITE 状态。
③ 在 WRITE 状态后，再给一次 Write 命令，就可以继续写入数据。
2、WRITE状态到 IDLE 状态 （经常需要进行刷新操作，必须从 IDLE 状态进入。）
① 在 WRITE 状态给 PRE 命令，则 SDRAM 将跳出 WRITE 状态进入 Precharge 状态；
② 在 Precharge 状态后，会自动进入 IDLE 状态。
注：WRITEA 状态不使用，因为当处于 WRITEA 状态时，它会自动的进入到 Precharge 状态。想要继续进行写操作就要先再次激活行，也就是说 WRITEA 比在 WRITE 状态的工作效率要低很多。
二、退出 WRITE 情况
在 WRITE 状态时，有 3 种情况是我们必须要退出 WRITE 状态的。
1、本次设计已经完全被写完。都写完了肯定得退出 WRITE 状态啊，还折腾啥呢。
2、SDRAM 需要进行自刷新操作。64ms内至少4096次的刷新操作是必须的，要刷新了就麻利的退出 WRITE 状态去刷新。
3、数据未写完，但已经填满了 SDRAM 的一行，需要激活下一行。因为每次激活都是激活的一行，所以要换行时得退出 WRITE 进行下一行的激活。
三、写操作设计时序分析
命令时序图
总时序图
设计一个状态转移图：
