纵向双扩散器件 VDMOS(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)和横向双扩散器件LDMOS(Lateral Double-diffused MOSFET)是高压MOS发展过程中的两种主要结构。
在LTspice中内置了一些MOS模型，很多时候我们实际选用的MOS可能库中没有。我们可以从供应商的网站上找到一些器件的模型，但大部分是子电路模型。这些模型可以工作，但模拟运行太慢而无法完全使用。LTspice使用的VDmos模型不是子电路，而是使用模型语句的新的内置设备模型。进行了一些改进，从而使模拟运行更快。这里感谢国外一大师Hendrik Jan Zwerver，开发了一个小工具，LTspice_MOS Tool.exe，可以从MOS的数据手册提取参数生成MOS的spice模型。点此进入下载。
由于软件版本较老，可能会缺少很多组件。如果提示缺少TABCTL32.OCX，将附件的TABCTL32.OCX文件复制一份到C:\Windows\System32；如果是64位系统，同时复制一份到C:\Windows\SysWOW64，然后注册。
以管理员身份运行cmd，输入以下命令：regsvr32 TABCTL32.OCX，回车；如果提示注册失败，输入regsvr32 C:\Windows\SysWOW64\TABCTL32.OCX，回车。
不同系统可能缺少的文件不一样，但都可参考上述方法补全。
下面介绍如何使用该软件。运行软件如下：
我们主要设置DC characteristics以及AC characteristics两个选项卡参数。Lib manager选项卡提供库管理功能。
我们以英飞凌的一颗TOLL封装的MOS（IPT020N10N3，若链接失效请到官网搜索）为例进行介绍LTspice自建MOSFET模型，这颗MOS在LTspice中已经提供了模型，我们可以对比自己制作的模型与系统自带的模型有多大区别。
首先给MOS模型取名，选择MOS类型：
然后根据数据手册查找Rdson、阈值电压以及内部栅极电阻：
如下手册，我们选取Rdson在Vgs测试电压为10V条件下测得的标准值1.7mΩ，Vgsth为2.7V，Rg为1.9Ω。
如果数据手册没有给出Rg，可以点击Rg后面的问号，会弹出一个计算器，估算Rg：
然后输入传输特性参数。此处要参照3张图，output characteristics、transfer characteristics以及gate charge。
第一对参数应选择米勒平台电压以及对应的测试电流，某些datasheet可能已经给出了米勒平台电压，如果没有给出就只能从下图读取了。
第二对参数需要选择一个比较高的门极电压以及对应的漏极电流，我们选取1000A这个点，找对应的Vgs：
这里分享一个小技巧，直接在图表上读数很难读准，我们可以利用屏幕标尺小工具（附件提供下载）进行测量计算，如下图：
Vds Test电压根据手册Transfer Characteristics图表进行计算，如上图注释，Vds>2 * Id * Rdsonmax，即2 * 1000A * 2mΩ=4V。
然后输入Output Characteristics参数，该参数不是用来计算模型的，我们填入MOS的耐压即可。
然后输入Body diode DC forward characteristics，如下图，共需要三组数据，我们可以从手册的Forward characteristics of reverse diode读取数据。注意前两组数据应尽量选小，第三组选大一点，这样有利于提高计算精度。当然，从图表上还是很难读取到准确数据，有条件的可以使用电流源+数字万用表进行实测。
接下来我们点击Update，只要下方的Transfer中有一组Vgs和Id以及Rdson能与我们输入的参数非常接近即可，如果差别较大，我们应该调整LAMBDA参数或者取消勾选Don’t change Vto，然后再次Update，直到调整出合适的参数。
然后我们切换到AC characteristics选项卡：
首先输入Typical Capacitance，第二组参数最容易，根据数据手册的Dynamic characteristics填写即可：
第一组参数和第三组参数需要从图表上去读数，其中第三组参数需要选取一个尽量高的电压值：
Gate charge characteristics test conditions 以及 Body diode reverse recovery可以直接从数据手册读取：
然后我们切换到VDmos Model选项卡，点击Update model即可生成模型。
我们对比一下系统自带库模型，看看区别多大，这里贴出自建库：
.MODEL IPT020N10N3_Alt VDMOS(KP=184.7946 RS=0.0 RD=0.0009 RG=1.9 VTO=3.26
+LAMBDA=0.001 CGDMAX=5560p CGDMIN=7p CGS=11131p TT=84n a=0.7
+IS=6.62E-10 N=1.205 RB=0.000479 m=0.87 Vj=9.47 Cjo=9600.0pF)
贴出系统自带库模型：
.model IPT020N10N3 VDMOS(Rg=1.4 Vto=3.7 Rd=600u Rs=818.3u Rb=480u
+Mtriode=1.6 Kp=360 Lambda=.07 Cgdmin=1p Cgdmax=3n A=.3 Cgs=12n Cjo=10n
+M=.45 Is=60p VJ=.5 N=1.1 ksubthres=.1 mfg=Infineon Vds=100 Ron=1.7m Qg=156n)
我们可以看到两者的区别还是蛮大的。使用该工具创建的MOS模型不知是否可信。如果有资源可以让厂家提供测试数据，从数据手册图表读取数据太难。
工具来源于网络，如果使用错误欢迎指正，好的经验也欢迎共享。
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