一、PVT （Process Voltage Temperature）
电压、温度 和 工艺情况等条件组合，形成 PVT(Process、Voltage、Temperature)条件，用于性能分析（时序分析）。
Voltage & Temperature
Process corner
不同的晶片和不同的批次之间，因为掺杂、刻蚀、温度等外界因素导致MOSFETs参数的变化范围比较大。
为减轻设计困难度，需要将器件性能限制在某个范围内，并报废超出这个范围的芯片，来严格控制预期的参数变化。工艺角即为这个性能范围。
TT：NMOS -Typical corner & PMOS -Typical corner
FF：NMOS -Fast corner & PMOS -Fast corner
SS：NMOS -Slow corner & PMOS -Slow corner
FS：NMOS -Fast corner & PMOS -Slow corner
SF：NMOS -Slow corner & PMOS -Fast corner
注1：Typical是指晶体管驱动电流（Ids）是一个平均值；Fast是指晶体管驱动电流是最大值；Slow是指晶体管驱动电流是最小值。
注2：5种覆盖大约+-3 sigma即约99.73% 的范围。
二、OCV (On-chip Variations)
除了不同晶圆之间，同一晶圆不同芯片之间。同一芯片不同区域之间特性也有差异，主要包括：
1，IR Drop造成局部不同的供电的差异；
2，晶体管阈值电压的差异；
3，晶体管沟道长度的差异；
4，局部热点形成的温度系数的差异；
5，互连线不同引起的电阻电容的差异。
OCV可以描述PVT在单个芯片所造成的影响。更多的时候, 用来考虑长距离走线对时钟路径的影响。
在时序分析时引入derate参数模拟OCV效应，其通过改变时延迟的早晚来影响设计。
【参考文档】
1) http://www.signoffsemi.com/pvt-rc-variation-ocv【基础】PVT, RC Variation & OCV
2) https://blog.csdn.net/jerryer121/article/details/86487946 【基础】(转载)工艺角（Process Corner）PVT(Precess Voltage Temperature)工艺误差
3) https://blog.csdn.net/weixin_41515979/article/details/101907880【基础】IC中的PVT
【引用请声明出处，yvivid】https://www.cnblogs.com/yvivid/p/process_ic.html