51单片机+oled+ds18b20检测并显示温度第一篇：配置温度检测ds18b20
前提：
DS18B20是一线总线（单总线）”接口的温度传感器。其引脚只有三个vcc,gnd和dq
vcc接单片机vcc，gnd接单片机gnd，dq接io口P3^6
因此只要封装好想关函数，对dq连接的io口P3^6进行相关操作，即可得到测量温度
可编程的分辨率为9～12位，对应的可分辨温度分别为0.5℃、0.25℃、0.125℃ 和0.0625℃，可实现高精度测温。
1.时序图
（1）初始化时序
单总线上的所有通信都是以初始化序列开始。主机输出低电平，保持
低电平时间至少 480us（该时间的时间范围可以从480到960微妙），以
产生复位脉冲。接着主机释放总线，外部的上拉电阻将单总线拉高，延
时 15～60 us，并进入接收模式。接着 DS18B20 拉低总线 60~240 us，
以产生低电平应答脉冲，若为低电平，还要做延时，其延时的时间从外
部上拉电阻将单总线拉高算起最少要480微妙。
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（2）写时序
写时序包括写 0 时序和写 1 时序。所有写时序至少需要 60us，且
在 2 次独立的写时序之间至少需要 1us 的恢复时间，两种写时序均起
始于主机拉低总线。写 1 时序：主机输出低电平，延时 2us，然后释放
总线，延时 60us。写 0 时序：主机输出低电平，延时 60us，然后释放
总线，延时 2us。
（3）读时序
单总线器件仅在主机发出读时序时，才向主机传输数据，所以，在主
机发出读数据命令后，必须马上产生读时序，以便从机能够传输数据。
所有读时序至少需要 60us，且在 2 次独立的读时序之间至少需要 1us
的恢复时间。每个读时序都由主机发起，至少拉低总线 1us。主机在读
时序期间必须释放总线，并且在时序起始后的 15us 之内采样总线状态
因此根据相关时序说明及时序图，要封装的函数为：初始化（复位），写操作，读操作复位→发 SKIP ROM 命令（ 0XCC）→发开始转换命令（ 0X44）→延时→复位→发送 SKIP ROM 命令（0XCC）→发读存储器命令（ 0XBE）→连续读出两个字节数据(即温度)→结束
2.封装初始化函数
void Init_DS18B20(void)
{
DQ=1;
delay(8);
DQ=0;
delay(80);
DQ=1;
delay(5);
delay(20);
}3.封装读操作函数
unsigned char ReadOneChar(void) //主机数据线先从高拉至低电平1us以上，再使数据线升为高电平，从而产生读信号
{
unsigned char i=0; //每个读周期最短的持续时间为60us，各个读周期之间必须有1us以上的高电平恢复期
unsigned char dat=0;
for (i=8;i>0;i–) //一个字节有8位
{
DQ=1;
delay(1);
DQ=0;
dat>>=1;
DQ=1;
if(DQ)
dat|=0x80;
delay(4);
}
return(dat);4.封装写操作函数
void WriteOneChar(unsigned char dat)
{
unsigned char i=0; //数据线从高电平拉至低电平，产生写起始信号。15us之内将所需写的位送到数据线上，
for(i=8;i>0;i–) //在15~60us之间对数据线进行采样，如果是高电平就写1，低写0发生。
{
DQ=0; //在开始另一个写周期前必须有1us以上的高电平恢复期。
DQ=dat&0x01;
delay(5);
DQ=1;
dat>>=1;
}
delay(4);
}5.最后编写获取温度的函数
void ReadTemperature(void)
{
unsigned char a;
unsigned char b;
Init_DS18B20();
WriteOneChar(0xcc);
WriteOneChar(0x44);
delay(125);
Init_DS18B20();
WriteOneChar(0xcc);
WriteOneChar(0xbe);
a=ReadOneChar();
b=ReadOneChar();
temperature=b;
temperature=a+(temperature<<8);
if((temperature&0xf800)==0xf800)
{
temperature=(~temperature)+1;
value=temperature*(-0.125);
}
else
{
value=temperature*0.125;
}
}最后根据个人需求编写主函数附上效果图跟源码地址
https://github.com/linxinloningg/51-0.96oled-iic-ds18b20.git
