51单片机第八讲（DS18B20温度芯片）

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1.单总线通信初始化
初始化时序包括：主机发出的复位脉冲和从机发出的应答脉冲。主机通过拉低单总线480-960μs产生复位脉冲；然后由主机释放总线，并进入接收模式。主机释放总线时，会产生一由低电平跳变为高电平的上升沿，单总线器件检测到该上升沿后，延时15～60μs，接着单总线器件通过拉低总线60～240μsμ来产生应答脉冲。主机接收到从机的以应答脉冲后，说明有单总线器件在线，到此初始化完成。然后主机就可以开始对从机进行ROM命令和功能命令操作。

void Init_DS18B20(void)
{
    DQ = 0;                       //DQ拉低
    Delay480us();                 //延时480~960us
    DQ = 1;                       //DQ拉高
    Delay60us();                  //延时15~60us
    if(DQ == 0)//器件应答正确       //如果DQ等于0，则从机应答正确
    {
        Delay240us();             //延时240us
        DQ = 1;                   //DQ拉高
    }  
}

2.写时序：
当主机把数据线从逻辑高电平拉到逻辑低电平的时候，写时间隙开始。有两种写时间隙：写1的时间隙和写0时间隙。所有写时间隙必须最少持续60us,包括两个写周期间至少1us的恢复时间。DQ引脚上的电平变低后，DS18B20在一个15us到60us的时间窗口内对DQ引脚采样。如果DQ引脚是高电平，就是写1，如果DQ引脚是低电平，就是写0。主机要生成一个写1时间隙，必须把数据线拉到低电平然后释放，在写时间隙开始后的15us内允许数据线拉到高电平。主机要生成一个写0时间隙，必须把数据线拉到低电平并保持60us。

/******************************************************************/
/*                 写一个字节    先写低位                         */
/******************************************************************/
void WriteOneByte(unsigned char dat)
{
    unsigned char i;
    for(i = 0; i < 8; i++)
    {
        DQ = 0;             //DQ先拉低
        _nop_();            //在15us以内写对应值，从机进行采样
        if(dat & 0x01)      //如果是写1则DQ变为1
        {
            DQ = 1;         
        }   
        else
        {
            DQ = 0;         //否则DQ为0
        }
        Delay60us();        //延时60us
        DQ = 1;             //释放总线
        dat >>= 1;          //写下一位数据
    }     
}

3.读时序：
当主机把总线从高电平拉低，并保持至少1us后释放总线；并在15us内读取从DS18B20输出的数据。

/******************************************************************/
/*                    读一个字节  ， 低位开始                     */
/******************************************************************/
unsigned char ReadOneByte(void)
{
    unsigned char i;
    unsigned char value = 0;
    for(i = 0; i < 8; i++)
    {
        value >>= 1;
        DQ = 0;
        _nop_();
        DQ = 1;
        _nop_();
        _nop_();
        _nop_();
        _nop_();
        _nop_();
        _nop_();
        _nop_();

        if(DQ)
        {
            value |= 0x80;
        }
        Delay60us();
    }  

    return value;
}

4.温度处理过程
1.初始化
2.0XCC
3.0X44
4.延时一段时间
5.初始化
6.0XCC
7.0XBE
8.读取温度寄存器低字节和高字节值
9.数值处理

/******************************************************************/
/*                   读取温度                                     */
/******************************************************************/
unsigned int ReadTemperature(void)
{
    unsigned int a, b, t;
    Init_DS18B20();        
    WriteOneByte(0xcc);
    WriteOneByte(0x44);
    delay_ms(200);
    Init_DS18B20();
    WriteOneByte(0xcc);
    WriteOneByte(0xbe);
    a = ReadOneByte(); //低字节
    b = ReadOneByte(); //高字节
    b = b << 8;
    t = a + b;

    return t;
}