STM32 Flash学习（一）

STM32 FLASH简介

不同型号的STM32，其Flash容量也不同。
MiniSTM32开发板选择的STM32F103RCT6的FLASH容量为256K字节，属于大容量产品。
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STM32的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等3部分组成。

主存储器，该部分用来存放代码和数据常量（如const类型的数据）。
对于大容量产品，其被划分为 256 页，每页 2K 字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。

主存储器的起始地址就是 0X08000000，B0和B1都接GND的时候，就是从 0X08000000开始运行代码的。

信息块，该部分分为2个小部分，其中启动程序代码，是用来存储ST自带的启动程序，用于串口下载代码，当B0接V3.3，B1接GND的时候，运行的就是这部分代码。用户选择字节，一般用于配置写保护、读保护等功能。

闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。

对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器（FPEC）管理；编程与擦除的高电压由内部产生。

在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；

内置闪存模块可以在通用地址空间直接寻址，任何32位数据的读操作都能访问闪存模块的内容并得到相应的数据。
读接口在闪存端包含一个读控制器，还包含一个AHB接口与CPU衔接。

注意闪存等待时间，因为CPU运行速度比FLASH快得多，STM32F103的FLASH最快访问速度≤24MHz，如果CPU频率超过这个速度，那么必须加入等待时间。
比如我们一般使用72MHz的主频，那么FLASH等待周期就必须设置为2，该设置通过FLASH_ACR寄存器设置。

要从地址addr，读取一个半字（半字为16位，字为32位），可以通过如下的语句读取：

data = *(vu16*)addr;

将addr强制转换为vu16指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了addr地址的值。
将上面的vu16改为vu8，即可读取指定地址的一个字节。

STM32的闪存编程是由FPEC(闪存编程和擦除控制器)模块处理的，这个模块包含7个32位寄存器，它们分别是：

其中FPEC键寄存器总共有3个键值：
RDPRT键=0x000000A5
KEY1=0X45670123
KEY2=0XCDEF89AB

STM32复位后，FPEC模块是被保护的，不能写入FLASH_CR寄存器；
通过写入特定的序列到FLASH_KEYR寄存器可以打开FPEC模块（即写入KEY1和KEY2），只有在写保护被解除后，我们才能操作相关寄存器。

STM32闪存的编程每次必须写入16位，
当FLASH_CR寄存器的PG位为1时，在一个闪存地址写入一个半字将启动一次编程；
写入任何非半字的数据，FPEC都会产生总线错误。
在编程过程中（BSY位为1），任何读写闪存的操作都会使CPU暂停，直到此次闪存编程结束。

同样，STM32的FLASH在编程的时候，也必须要求其写入地址的FLASH是被擦除了的（其值必须是0xffff），否则无法写入，在FLASH_SR寄存器的PGERR位将得到一个警告。

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在STM32的FLASH编程的时候，首先判断缩写地址是否被擦除。
STM32的闪存擦除分为两种：页擦除和整片擦除。

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FPEC键寄存器：FLASH_KEYR。
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所有这些位都是只写的，读出时返回0。
位31~0：FKEYR：FPEC键，这些位用于属于FPEC的解锁键。
该寄存器主要用来解锁FPEC，必须在该寄存器写入特定的序列（KEY1和KEY2）解锁后，才能对FLASH_CR寄存器进行写操作。

闪存控制寄存器：FLASH_CR。
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LOCK位，该位用于指示FLASH_CR寄存器是否被锁住，该位在检测到正确的解锁序列后，硬件将其清零。在一次不成功的解锁操作后，在下次系统复位之前，该位将不再改变。
STRT位，该位用于开始一次擦除操作。在该位写入1，将执行一次擦除操作。
PER位，该位用于选择页擦除操作，在页擦除的时候，需要将该位置1.
PG位，该位用于选择编程操作，往往FLASH写数据的时候，该位需要置1。

闪存状态寄存器：FLASH_SR。
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闪存地址寄存器：FLASH_AR
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这些位由硬件修改为当前/最后使用的地址。在页擦除时，软件必须修改这个寄存器以指定要擦除的页。

位31~0：FAR：闪存地址，当进行编程时选择要编程的地址，当进行页擦除时选择要擦除的页，当FLASH_SR的BSY位为1时，不能写这个寄存器。