SRAM使用的是55ns的IS62WV51216，需要先分析IS62WV51216对读写的时序要求。
读时序
分析时序图，可以提取如下信息（不分析高低字节位和使能位，因为FSMC访问模式是一直保持的）：整个读周期大于55ns、地址建立时间55ns且读使能25ns才能确保输出数据
写时序
分析时序图，可以提取如下信息（不分析高低字节位和使能位，因为FSMC访问模式是一直保持的）：整个写周期大于55ns、写使能时间大于45ns(tHZWE+tSD)才能保证数据写入
FSMC时序配置
根据手册模式1和模式A一般用于SRAM操作。注意：根据手册，模式1具有相同的读写时序，而模式A则是独立的读写时序。
下面分别结合两种模式进行时序分析：
模式1
根据提取出来的要求：整个读周期大于55ns、地址建立时间55ns且读使能25ns才能确保输出数据、整个写周期大于55ns、写使能时间大于45ns(tHZWE+tSD)才能保证数据写入。
得出：
tHCLK * ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1) + 2) >= 55ns
tHCLK * ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1) ) >= 55ns(不应包括2周期存储时间)
tHCLK * ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1) ) >= 25ns(不应包括2周期存储时间)
tHCLK * ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1) ) >= 55ns
tHCLK * DATAST >= 45ns
STM32F103的HCLK配置为72MHz，则tHCLK=13.8ns。因此，DATAST >= 4且ADDSET >= 0。
模式A
根据提取出来的要求：整个读周期大于55ns、地址建立时间55ns且读使能25ns才能确保输出数据
得出：
tHCLK * ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1) + 2) >= 55ns
tHCLK * ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1) ) >= 55ns(不应包括2周期存储时间)
tHCLK * (DATAST + 1) >= 25ns(不应包括2周期存储时间)
STM32F103的HCLK配置为72MHz，则tHCLK=13.8ns。因此，DATAST = 1且ADDSET >= 1，DATAST >= 2且ADDSET >= 0。
根据提取出来的要求：整个写周期大于55ns、写使能时间大于45ns(tHZWE+tSD)才能保证数据写入
tHCLK * ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1) ) >= 55ns
tHCLK * DATAST >= 45ns
STM32F103的HCLK配置为72MHz，则tHCLK=13.8ns。因此，DATAST >= 4且ADDSET >= 0。
源码例程
以模式A为例
#include "stm32f10x.h"
/* RCC时钟配置 */
void RCC_config()
{
ErrorStatus HSEStartUpStatus;
/* RCC寄存器设置为默认配置 */
RCC_DeInit();
/* 打开外部高速时钟 */
RCC_HSEConfig(RCC_HSE_ON);
/* 等待外部高速时钟稳定 */
HSEStartUpStatus = RCC_WaitForHSEStartUp();
if(HSEStartUpStatus == SUCCESS)
{
/* 设置HCLK = SYSCLK */
RCC_HCLKConfig(RCC_SYSCLK_Div1);
/* 设置PCLK2 = HCLK */
RCC_PCLK2Config(RCC_HCLK_Div1);
/* 设置PCLK1 = HCLK / 2 */
RCC_PCLK1Config(RCC_HCLK_Div2);
/* 设置FLASH代码延时 */
FLASH_SetLatency(FLASH_Latency_2);
/* 使能预取址缓存 */
FLASH_PrefetchBufferCmd(FLASH_PrefetchBuffer_Enable);
/* 设置PLL时钟源为HSE倍频9 72MHz */
RCC_PLLConfig(RCC_PLLSource_HSE_Div1, RCC_PLLMul_9);
/* 使能PLL */
RCC_PLLCmd(ENABLE);
/* 等待PLL稳定 */
while(RCC_GetFlagStatus(RCC_FLAG_PLLRDY) == RESET);
/* 设置PLL为系统时钟源 */
RCC_SYSCLKConfig(RCC_SYSCLKSource_PLLCLK);
/* 等待系统时钟源切换到PLL */
while(RCC_GetSYSCLKSource() != 0x08);
}
}
/* GPIO配置 */
void GPIO_config(void)
{
GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;
RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD | RCC_APB2Periph_GPIOE | RCC_APB2Periph_GPIOF | RCC_APB2Periph_GPIOG, ENABLE);
GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_4 | GPIO_Pin_5 |
GPIO_Pin_8| GPIO_Pin_9 | GPIO_Pin_10 | GPIO_Pin_11 |
GPIO_Pin_12 | GPIO_Pin_13 | GPIO_Pin_14 | GPIO_Pin_15;
GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP;
GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);
GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_7 | GPIO_Pin_8 |
GPIO_Pin_9 | GPIO_Pin_10 | GPIO_Pin_11 | GPIO_Pin_12 |
GPIO_Pin_13 | GPIO_Pin_14 | GPIO_Pin_15;
GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);
GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_2 | GPIO_Pin_3 |
GPIO_Pin_4 | GPIO_Pin_5 | GPIO_Pin_12 | GPIO_Pin_13 |
GPIO_Pin_14 | GPIO_Pin_15;
GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure);
GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_2 | GPIO_Pin_3 |
GPIO_Pin_4 | GPIO_Pin_5 | GPIO_Pin_10;
GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);
}
/* FSMC配置 */
void FSMC_SRAM_Init(void)
{
FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure;
FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef readTiming;
FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef WriteTiming;
RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC, ENABLE);
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3; //Bank
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable; //数据和地址线是否复用
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType = FSMC_MemoryType_SRAM; //存储器类型
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b; //存储器数据宽度
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode = FSMC_BurstAccessMode_Disable; //是否进行突发模式访问
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low; //等待信号极性(突发模式下)
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait = FSMC_AsynchronousWait_Disable; //保留位
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable; //是否支持非对齐操作(突发模式下)
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState; //WAIT信号有效时机(突发模式下)
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable; //是否允许写操作
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable; //是否使用WAIT信号(突发模式下)
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Enable; //是否使用读写不同时序
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable; //是否允许突发写操作
readTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00; //地址建立时间
readTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00; //地址保持时间
readTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x02; //数据保持时间
readTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
readTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
readTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
readTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; //模式A
WriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00; //地址建立时间
WriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00; //地址保持时间
WriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x04; //数据保持时间
WriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
WriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
WriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
WriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; //模式A
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readTiming;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &WriteTiming;
FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);
FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE);
}
uint8_t testsram[1000000] __attribute__((at(0x68000000)));
uint8_t test;
int main(void)
{
uint8_t count = 0;
/* 时钟配置 */
RCC_config();
/* GPIO配置 */
GPIO_config();
/* FSMC配置 */
FSMC_SRAM_Init();
for(uint32_t ts = 0; ts < 1000000; ts++)
testsram[ts] = count++;
for(uint32_t ts = 0; ts < 1000000; ts++)
test = testsram[ts];
while(1)
{
}
}