1，模拟开关不合理电路
第一个电路是N沟道JFET，对于N沟道JFET总是耗尽型的，其栅极电位不能高于源极电位0.5V以上；因为这样会导致栅极沟道间PN结导通。所以对于JFET的栅极不能加相对于沟道的正向偏置，为了防止栅极电流的出现；
对于N JFET而言，漏极电流为0时，对应的栅极-源极电压称为“栅-源截止电压”VGS(OFF)或者夹断电压Vp，一般在-3到-10V之间；
对于PJFET而言，对应的电压值在3-10V之间；
所以第一个图修正后的电路是：用PJFET代替NJFET耗散型
对于第二个电路图
如果要转换含有两种极性的符号（例如信号源电压-10V到+10V），可以使用这个电路，但是栅极电压驱动应该为-15V（断开）到+15V（闭合），而衬底应该被连接到-15V电压。
当前原理图的不合理之处在于，衬底连接的是源极电压；
修正后的电路为：
第三个电路 由于NJFET 电压在导通的时候VGS不能超过0.5V，所以要修改为PJFET
修改后的电路为
2.放大器电路
对于JFET共源极放大器：
放大倍数是G=-gm*Rd；
gm根据曲线可以看到2mA时候Vgs=0.3；所以gm=id/vgs=6.7mS；
所以放大倍数是G=6.7mS*10KΩ=67倍；
达不到1000倍放大效果，其实FET跨导要比晶体管的跨导小很多，并不适合做放大器和跟随器。
更应该使用晶体管来做放大；
修正后的电路：
3.逻辑开关
由于NJFET的栅极电压比源极电压最高高0.5V，所以用0-5V的逻辑开关是不合适的。需要把NJFET改成PJFET；
修正后的电路：
4.互补式JFET反相器
由于NJFET的VGS不能超过0.5V，所以这个电路用互补式JFET是不合理的，正确的用法是用互补式CMOS反相器。
修正后的电路如下：
当输入是1的时候，NMOS导通，PMOS截止，输出是0；
当输入是0的时候，NMOS截止，PMOS导通，输出是1：
