LPDDR JEDEC
LPDDR3
CKE拉低，两个NOP指令后（tCPDED）， DDR不再接收任何信息（data/command）。
MR0[0] DAI(Device Auto-Initialization Status)0B: DAI complete 1B: DAI still in progress
MR5~MR8 Basic Configurationread only, devices info: Manufacturer ID,vendor,Density,I/O width.
MR3 IO Configuration , Driver Strength. DS
MR2 描述不清， WR Select,WR Leveling
MR10 ZQ calibration， 只支持：0xFF: Calibration command after initialization
0xAB: Long calibration
0x56: Short calibration
0xC3: ZQ Reset
其他的值，device都不应该有相应，是否做个验证？发其他值，看看，device是否有动作，电压/电流是否会变化？
MR11 ODT Control,933M/1066M 必须enable，666M/800M 需参考厂商的说明书。
MR16、MR17， PASR
MR33:39，MR43:47,（do not use）什么意思，不能发生这个模式寄存器的读或写？
MR32、MR40，DQ Calibration Pattern
MR41、MR42、MR48，CA Training
MR63, Reset
timing paramter
tCCD ： CAS-to-CAS delay, 从性能角度？ burst length的配置和这个参数有关系？
tRCD ：active command 发出 到 读/写 command发出的最小时间间隔。
tRC： （tRAS+tRP） 同一个bank，两次active command的最小间隔时间。
tRRD : 不同bank，两次active command的最小间隔时间。
tRP ： Row precharge time， 一个precharge command执行的最小时间。同一个bank，改变row slect前，必须关闭 active的row，使用precharge command。
tCKE ： CKE min.pulse width(high or low pules width), CKE拉低或拉高，最小电平维持时间。
tWTR ：internal write to read command delay, 最后一笔写数据结束，到read command可以发送的最小时间。
tWR： write recovery time，最后一笔写数据结束，到precharge command可以发送的最小时间。
tREF：Refresh period，
tREFI：Average periodic refresh interval， auto refresh 的周期。
tRFC： refresh command 后，active、refresh、precharge命令执行需等待的时间。
tRAS： row active time, active command后执行 precharge命令的最小等待时间。
tFAW： Four-bank activate window. 在tFAW时间内，activate的bank不能超过4个。
tXSR： self refresh exit to next valid command delay. 执行退出self refresh 命令后，再执行其他命令需等待的最小时间。
tXP：Exit power-down to next vaild command delay 。执行退出power-down命令后，再执行其他命令需等待的最小时间。
tRTP： burst read的timing图中，RL和tRTP怎么理解？？？？？？？？？？
tMRW：mode register write command 发出后，到有效命令可发出的最小时间间隔。 (NOP command 允许)。
tMRD：mode register set command delay. 大于等于tMRW、tMRR.
tCKESR： 进入selfrefresh mode， CKE持续的最小时间。 （self fresh mode 最大持续时间没有限制）
per-bank refresh , bank counter 在reset、auto-bank refresh或退出selfrefresh后会归0（controler和devices）。
LPDDR4
MR