NOR Flash原理与硬件操作
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*硬件平台：韦东山嵌入式Linxu开发板（S3C2440.v3）
*软件平台：运行于VMware Workstation 12 Player下UbuntuLTS16.04_x64 系统
*参考资料：《嵌入式Linux应用开发完全手册》韦东山，开发版原理图，MX29LV160DBTI-70G(NOR FLASH) datasheet，MX29LV800BBTC datasheet
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目录
一、什么是NOR Flash
1、简介
NOR Flash是Intel在1988年创建的一种非易失闪存技术，是市场上两种主要的非易失闪存技术之一，另一项技术就是Nand Flash，由1989年东芝公司发布建立。
2、特点
将通过与Nand Flash对比介绍
| 指标 | NAND Flash | NAND Flash |
|---|---|---|
| 容量 | 1MB~32MB | 16MB~512MB |
| 读 | 快 | 快 |
| 写 | 慢 | 快 |
| XIP | Yes | No |
| 易用性 | 容易 | 复杂 |
| 主要用途 | 用于保存代码和关键数据 | 用于保存数据 |
二、怎么读NOR Flash
方法：使用UBOOT体验操作NOR Flash
1、查询手册命令
参考芯片手册如下：
分析：
1、对于NOR Flash 操作每个命令都需要输入对应的指令。
2、其中某些命令由于芯片实际连接的位宽不同而指令不同，例如Read Silicon ID。
2、查看NOR Flash硬件原理图
分析：
1、数据线有16条，可以知道应该使用Word对应指令。
2、连接CPU的地址线与NOR Flash的地址数不同，A n对应的是LADDR n+1。
3、往地址写数据时，手册指令的地址需要左移一位，即乘2.
3、 实例操作：读 ID
查询手册可知，指令如下：
往地址555H写AAH
往地址2AAH写55H
往地址555H写90H
读0地址得到厂家ID: C2H
读1地址得到设备ID: 22DAH或225BH
退出读ID状态: 给任意地址写F0H
由于A n对应的是LADDR n+1，所以2440发出(555h<<1)，NOR才能收到555h这个地址即：
往地址AAAH写AAH
往地址554写55H
往地址AAAH写90H
读0地址得到厂家ID: C2H
读2地址得到设备ID: 22DAH或225BH
代码表示为：
mw.w aaa aa //往地址AAAH写AAH
mw.w 554 55 //往地址554写55H
mw.w aaa //90往地址AAAH写90H
md.w 0 1 //读0地址得到厂家ID: C2H
md.w 2 1 //读2地址得到设备ID: 22DAH或225BH
mw.w 0 f0 //退出读ID状态:
三、怎么写NOR Flash
通过学习以及查询资料知道NOR Flash可以像内存一样读，但是它不可以像内存一样写，需要先擦除，确保地址上原先数据为0xffff，才可以进行写操作。
1、查询手册命令
擦除命令：
往地址555H写AAH
往地址 2AAH写55H
往地址555H写80H
往地址555H写AAH
往地址 2AAH写55H
往地址SA写30H
SA为需要写入数据的地址
写命令，对应Program一栏：
往地址555H写AAH
往地址 2AAH写55H
往地址555H写A0H
往地址PA写PD
2、实例操作：写数据
由于A n对应的是LADDR n+1，所以2440发出(555h<<1)，NOR才能收到555h这个地址即：
擦除：
往地址555H写AAH
往地址 2AAH写55H
往地址555H写80H
往地址555H写AAH
往地址 2AAH写55H
往地址SA写30H
写
往地址AAAH写AAH
往地址 554H写55H
往地址AAAH写A0H
往地址PA写PD
代码表示为：
/* 擦除 */
mw.w aaa aa //往地址AAAH写AAH
mw.w 554 55 //往地址 554H写55H
mw.w aaa 80 //往地址AAAH写A0H
mw.w aaa aa //往地址AAAH写AAH
mw.w 554 55 //往地址 554H写55H
mw.w 100000 30 //往地址AAAH写AAH
/* 写 */
mw.w aaa aa //往地址AAAH写AAH
mw.w 554 55 //往地址 554H写55H
mw.w aaa a0 //往地址AAAH写A0H
mw.w 100000 1234 // 往地址0x10000000写1234
md.w 100000 1 //显示地址为0x10000000上读数据
4、疑问
问题1：既然上面你的指令的第一条就是写入了，那么我直接执行mw.w PA PD 这个指令可以写入吗？
解答：
1、试验
直接执行以下指令：
md.w 100000 1 //用于查询地址上原来的数据
mw.w 100000 2345 //写入信息
md.w 100000 1 //用于查询地址上的数据
可以看到2345没有写进去，所以想要在NOR Flash上进行写操作正确步骤为先擦除，后烧写。
四、CFI模式
1、什么是CFI模式
CFI接口是由Intel, AMD, Sharp, Fujutsu推动JEDEC制定的一个通用接口，用来帮助程序读取Flash的制造商ID和设备ID，确定Flash的大小，获取Flash的各个物理特性，比如block块的擦除时间等。CFI标准目前只支持Parallel Nor Flash，还不支持SPI Flash和Spansion的ORNAND Flash。
2、CFI模式中可以查询的具体信息
通过查询MX29LV160DBTI-70G(NOR FLASH) datasheet第26页可知CFI模式可查询到如下信息：
Identifcation Data Values（识别码）:
对于支持CFI模式的设备，可以通过读取地址0x10到0x12中的数据，得出字符为QRY则表示设备支持CFI模式。
System Interface Data Values（系统接口数据值）：
通过读取图中的地址，可以得到NOR Flash中的电气特性。
Device Geometry Data Values（设备物理信息）：
通过读取图中的地址，可以得到NOR Flash中的物理信息，如内存大小、扇区块数等等。
Primary Vendor-Specifc Extended Query Data Values（原始设备提供商查询信息）：
通过读取图中的地址，可以得到NOR Flash中的提供厂商信息。
3、如何进入CFI模式
通过上面的芯片手册图可以知道：
往55H写入98H
由于A n对应的是LADDR n+1，所以2440发出(555h<<1)，NOR才能收到555h这个地址即：
往地址AAAH写98H
代码表示为：
mw.w aaa 98
在下一讲中，讲通过进入CFI查询模式，查询并打印出容量和各个扇区起始地址。
