RAM 和 DDR 都可以CPU直接进行交互（因为数据处理速度够快），我们烧写到开发板里的程序，最终都要被加载到 DDR 或者 RAM，CPU 再从 DDR 或者 RAM 读取数据、指令。
RAM：CPU内部的一段可用内存。范围为 0x00900000~0x0091FFFF，大小为 128 KB
DDR：CPU外的存储器，封装在SOC 中，DDR的大小为 256M 或者 512M。如果DDR大小为256MB，那么范围为 0x80000000~0x90000000。
目录
一、ROM 和 RAM
1、ROM
只读存储器，类似于电脑硬盘，掉电以后数据不丢失，适合用来存储资料，比如音视频、图片等信息。也可以叫做 Flash，比如 EMMC、UFS、NAND Flash 其实都是 ROM。
- 掉电以后数据不丢失
- IO 速度相较于RAM更慢
- 容量一般较大（IMX.6ULL 有 512 MB 的 NAND Flash或者 8GB 的 EMMC）
2、RAM
随机存储器，类似于电脑的运行内存，掉电以后数据会丢失，一般用来保存程序数据、中间结果。比如后续介绍的 SRAM、SDRAM、DDR 其实都是 RAM。
- 掉电以后数据丢失
- IO 速度快，可以和CPU直接交互
- 容量较小（IMX.6ULL 的DDR3 为 256 MB 或 512 MB）
二、RAM
后续的 SDRAM、DDR其实都是在上一个的基础上一步步改进得到的，所以我们需要依次了解 SRAM —— SDRAM —— DDR —— DDR2 / DDR3 到底做了哪些改进。
1、SRAM
这里以 16 位宽（数据位为16位）、1 MB 大小的SRAM为例。假设SRAM要获取数据，那么他就需要知道，去哪个地址，一次取多少数据，是读数据还是写数据。这一句话包含了下面三种线的作用。
① 地址线
地址线有19根（A0 ~ A18），那么可访问的地址大小就是2^19 = 524288 = 512KB。
② 数据线
16位宽有16根数据线，对应 16 bit，相当于每次去某个地址，都会访问 2 个字节的数据，因此就有了高低字节之分，其中 IO0~IO7 是低字节，IO8~IO15 是高字节。
这也就验证了 SRAM 的大小 = 可访问的地址数 × 每次访问地址可以获取到的字节数
= 512 KB × 2 = 1024 KB = 1MB
③ 控制线
访问某个地址的时候，是读数据还是写数据，如果是读数据，先读高字节还是先读低字节，这些都由控制线完成。
- CS1、CS2：有些系统可能会有多片SRAM，使用哪一片由 CSx 决定
- OE：输出使能。低电平有效，主控从SRAM 读取数据
- WE：写使能。低电平有效，主控向SRAM 写数据
- UB：读取高字节数据
- LB：读取低字节数据
2、SDRAM
SRAM 的缺点是成本高、容量小，实际上对于内存的需求越来越高，需要大内存的解决方案，最终 SDRAM 应运而生。SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步动态随机存储器，既然是“同步”，那就说明需要时钟线；“动态” 表示不断刷新来保证数据不会丢失。SDRAM 和 SRAM 的区别在于：
- 引入了时钟线，同步刷新数据
- 多个 BANK，降低地址冲突，提升内存的的访问效率
- 每个 BANK 中通过行、列寻址
去哪个BANK的哪个地址，访问多少数据，读数据还是写数据。下面是一个16位宽、32MB的SDRAM，速度为133MHz、166MHz 或 200MHz
④ BANK 选择线
单一的 BANK 会带来严重的寻址冲 突，减低内存访问效率。因此，才有了现在的多个BANK，但是具体要到哪个BANK中获取数据，取决于BANK选择线BS0、BS1
③ 地址线（A0~A12）
SDRAM 是通过行列来寻址的，行地址和列地址由同一根线控制，SDRAM 如何知晓当前收到的地址是行地址还是列地址呢？这就需要依赖图中 ① 包含的 RAS、CAS 了，RAS 是行选通信号，低电平有效，如果 RAS 是低电平，说明此时A10是行地址；如果 CAS 是低电平，说明此时A10 是列地址。
以 W9825G6KH 的型号为例，A0~A8 是列地址，一共 9 位；A0~A12 是行地址，一共 13 位。因此寻址范围：2^9 × 2^13 = 4MB。根据图中 ⑥ 包含的可以看出，数据宽为 16 bit，也就是说，每次可以访问 2 字节。
因此，一个 BANK 的大小 = 4MB × 2 = 8 MB
② A10（地址选择线）
A10 除了作为地址线的一员外，还控制着“预充电”，“预充电” 指的是关闭现在的行，准备打开新行的操作，这样就可以准备访问一个新的地址了。
⑤ BANK 分块
单一的 BANK 会带来严重的寻址冲 突，减低内存访问效率。因此，才有了现在的多个BANK，每个SDRAM 的数据手册中都会指明有多少个BANK，图中展示的SDRAM 有4个BANK。
从地址线了解到一个 BANK 是8MB，那么SDRAM的大小 = 4 × 8MB = 32 MB
① 控制线
和SRAM类似，这里仅介绍和 SRAM 不同的地方
- CLK：时钟线
- CKE：时钟使能
- RAS：行选通信号，低电平有效。低电平时，说明 A0~A12 发送的是行地址
- CAS：列选通信号，低电平有效。低电平时，说明 A0~A8 发送的是列地址
3、DDR SDRAM
SDRAM 解决了SRAM 内存小的问题，但是人们产生了新的需求，那就是速度不够快，因此就有了现在的 DDR。DDR（Double Data Rate SDRAM），双倍速率SDRAM，这里的“双倍”来自于时钟的改进，SDRAM 在一个时钟周期传输一次数据，但是DDR在一个时钟周期传输两次（上升沿和下降沿各传递一次数据）。
原本的 SDRAM 传输速度是 133~200 MT/s，MT/s 表示每秒多少兆次数据传输。DDR 的传输速度就变为了 266~400 MT/s。
4、DDR2 / DDR3 / DDR3L
DDR 的传输速度进一步提升，就有了现在的DDR2、DDR3，甚至DDR4。DDR2 在DDR 的基础上进一步增加预取（相当于一个时钟周期传输4次数据）
- DDR2：533~800 MT/s
- DDR3：1066~1600 MT/s
为了适应不同场景，DDR3 衍生出了许多不同型号，如 LPDDR3、DDR3L。他们之间的区别在于工作电压。
- DDR3：工作电压 1.5 V （台式机）
- LPDDR3：工作电压 1.2 V
- DDR3L：工作电压 1.35 V （一般手机、嵌入式、笔记本）