原手册解释：OB:10100010
D[7]是最前边的第8位，二进制倒着来的，D[0]低位在最后。
- BOOST_LIM (D[7])：
- 控制升压模式的电流限制 输出时候
- 0 = 0.5A
- 1 = 1.2A（默认）
- 注意：列出的电流限制值是最小规格，实际值通常会更高
- Q1_FULLON (D[6])：
- 控制 VBUS FET 开关（Q1）的工作模式
- 0 = 当 IINDPM < 700mA 时使用更高的 RDSON（为了更好的精度）
- 1 = 始终使用更低的 RDSON（完全开启以获得更好的效率）
- 这个位用于控制 Q1（VBUS 开关）的导通电阻，以获得更好的输入电流测量精度
- 在升压模式下，始终使用完全开启的 FET，此位无效
- ICHG[5:0] (D[5:0])：
- 控制快速充电电流
- 计算公式：快速充电电流 = 60n (mA)，其中 n 是这 6 位形成的无符号二进制数（n ≤ 50）
- 偏移量：0mA
- 范围：0mA (000000) - 3000mA (110010)
- 默认值：2040mA (100010)
- 注意事项：
- 设置 ICHG = 0mA 会禁用充电
- 超过 50D = 110010 (3000mA) 的值会被限制在 3000mA
-
这个寄存器的具体位的含义如下：
- ICHG[5]: 1 = 1920mA
- ICHG[4]: 1 = 960mA
- ICHG[3]: 1 = 480mA
- ICHG[2]: 1 = 240mA
- ICHG[1]: 1 = 120mA
- ICHG[0]: 1 = 60mA
-
REG02 对于控制充电器的充电电流和升压模式非常重要。通过正确配置这个寄存器，可以精确控制充电电流，优化充电效率和速度，同时也可以控制升压模式下的电流限制。这对于管理电池充电过程和系统功耗至关重要。
