原手册解释很懵：OB:00010111
第8位，二进制倒着来的，低位在最后。
- EN_HIZ (D[7])：
- 这是高阻抗模式控制位
- 0 = 禁用（默认）
- 1 = 启用
- 在高阻抗模式下，VBUS 引脚实际上与内部电路断开，但可能存在一些漏电流；
- EN_ICHG_MON[1:0] (D[6:5])：
- 控制 STAT 引脚功能
- 00 = 启用（默认）
- 01 和 10 = 保留
- 11 = 禁用（引脚浮空）
- 这些位用于打开或关闭 STAT 开漏输出引脚的功能（充电状态指示器）
- IINDPM[4:0] (D[4:0])：
- 控制输入电流限制值
- 计算公式：输入电流限制 = 100 + 100n (mA)，其中 n 是这 5 位形成的无符号二进制数
- 偏移量：100mA
- 范围：100mA (00000) 到 3.2A (11111)
- 默认值：2400mA (10111)，非典型值
- IINDPM 会根据 PSEL 状态在输入源检测后改变：
- PSEL = 高 → IINDPM = 500mA
- PSEL = 低 → IINDPM = 2400mA
- 主机可以在输入源检测完成后覆写 IINDPM
-
这个寄存器对于控制充电器的输入电流限制和高阻抗模式非常重要，同时也控制了状态指示引脚的功能。通过正确配置这个寄存器，可以优化充电性能和系统功耗。
