随着半导体行业的快速发展，存储器作为电子设备中的重要组成部分，其技术和市场的演进备受关注。当前的DRAM技术正在向高密度、高性能的方向发展，特别是HBM(High Bandwidth Memory)技术因其卓越的带宽性能，在数据中心、高性能计算以及人工智能等领域得到了广泛应用。
计算需求呈上升趋势，对处理能力的需求不断增长，核心数量也在增加，多核处理器变得越来越普遍。尽管核心数量在增加，但是每个核心能够处理的数据量却在减少。随着时间推移，内存容量不断增加，说明数据存储需求的增长。但DRAM缩放的速度放缓，这种减速表明，随着技术接近物理极限，继续缩小内存单元变得更加困难。
DRAM技术在未来十年内发展的预期路径，3D DRAM也是一个值得关注的技术方向。通过垂直堆叠的方式，3D DRAM能够在不增加芯片面积的情况下提高存储密度。同时，随着制造工艺的进步，如采用IGZO等新材料，以及垂直通道晶体管等新技术，使得制造外围电路时可以使用更先进的逻辑工艺，这为DRAM性能的进一步提升提供了可能。
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HBM的发展历程可以追溯到HBM2，随后是HBM2E，并逐步过渡到了HBM3/HBM3e。不仅提供了更高的带宽，还增加了容量，例如从16Gb增加到了24Gb，并且堆叠层数也有所提升，使得单个封装内的内存容量达到了24GB至36GB之间。
从市场规模来看，预计到2029年，整个半导体存储器市场的规模将达到2340亿美元。其中，HBM市场尤为突出，预计从2023年的54亿美元增长到2029年的440亿美元，复合年增长率达到了惊人的41%。这一增长率远高于其他类型的存储器，如NAND、NOR、EEPROM以及其他存储器类型。
参考文献：FMS 2024-Yole Intelligence-《Next-Generation DRAM Technology and Market Trends》
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