接着（一）来说，之前我们画了一个反相器的简单原理图。现在我们来画一个反相器简单的版图…当然我们不考虑细节，比如参数最小尺寸什么的…因为我是萌新，我也在摸索，先画个玩玩…
简单的反相器版图设计
和之前一样Cell View
设置如下：
简单说明一下，这个当然可以调用别人的mos直接做个反相器但是我们为了熟悉操作从基础做起…一点点画…
这就是我们的画布，下面简单介绍一下。
左面是图层选择器，右面是画版图的地方
在画版图的时候常用快捷键是：O插入过孔Cantact，P Path画路径，最小尺寸的，R rectangle画矩形，s移边（重中之重…一定要先什么都不选再点边，不然就是选中图形移动），k调出一个尺子（持续添加…因为记不全）
让我们简单来画一画
PS：根据规则限制，把这个X snap和Y snap配置一下，0.005
1、画N-Well（注意选择更改图层，不然就会像我一样s半天动不了，生气！还有就是如果发现他总对其按G就行了·就变为不自动对齐）
2、画有源区
3、画多晶硅
4、利用SN和SP画重掺杂区，SN+AA=N+重掺杂，SP+AA=P+重掺杂
现在其实已经画好两个栅极在一起的C-MOS
5、画接触孔，用来金属连接的
5、将和衬底连接的重掺杂
6、用Contact和Poly把输入引出来（shift+C裁剪快捷键，先选中然后画矩形，Tab加左键可平移视图）
7、用金属（M1）连接
8、用Label标号
选择这个层
仿真
接下来要干的就是仿真了，版图仿真Calibre和原理图仿真区别很大。
1、DRC检查
找到你的DRC规则
然后RUN DRC
我对不起大家…呜呜呜一堆错误，错误报告双击后可在版图上高亮显示…不多说了，让小菜鸡先去改改…
读了一边规则，重点挑了几个重点的写了篇博客：
https://blog.csdn.net/u010594449/article/details/105703353
然后重画了一下这个反相器，按照规矩画了…不瞎画了…
只剩下了金属密度问题（…读了规则设计后改也是累死个人…人都气炸了…还是要多练习熟悉规则才好…或者直接调MOS…O过孔就简单多了…）金属密度问题在流片的时候解决…目前为止DRC检测就算完成了
进行LVS检测
差不多的操作
对不起各位，我又报错了…因为我瞎画的，所以…嘻嘻嘻长宽不一样…所以…我又要去改了…人傻了。懒人有懒办法，嘻嘻嘻我去改原理图！
哈哈哈，机智如我
LVS正确，然后是PEX检测（提取寄生参数）
这里注意，要改Format为Calibreview
生成Calibre
后仿真：
依旧用inv_tb测试
不同之处要加上calibre顺序
完成！好了，本次记录到此就结束了。下一个可能是全加器制作顺便复习一下基本原理！不过可能需要等一段日子了…最近要学的东西好多