反相器

画pmos

  1. 画有源区 (OD)3.6 6
  2. 画栅(POLy)上下扩出0.6u
  3. 添加一个pselect层(PIMP)覆盖整个有源区0.6u,然后在外围画nwell,覆盖有源区1.8u
  4. 衬底连接:pmos的衬底(nwell)必须连接vdd,画有源区1.2u 1.2u,外层覆盖nselect(NIMP)扩0.6u,最后将nwell拉长包裹。

        

布线

pmos必须接到输入信号和电源上

  1. 有源区(D and S)连接,在S and D区用contact孔画三个0.6 0.6矩形,间距1.5u
  2. 用metal1画两个矩形覆盖S and D的contact,扩边0.3u
  3. 为完成衬底连接,我们必须在衬底的有源区中间加个contact0.6 0.6 ,距离active区0.3
  4. 画电源的金属连线,宽3u
  5. metal1 vdd与D端连接

nmos版图

修改参数

非门绘制,输入输出

  pmos和nmos以多晶硅为基准对其,poly拉长连接。

  输入:为了与外部电路连接,我们需要用到metal2.但是poly不能与metal2直接相连,用到metal1.

  1. 在两个mos管连接的poly上画一个0.6 0.6 的contact
  2. 在这个contact上覆盖poly,扩0.3u
  3. 在这个contact的左边画一个0.6 0.6的via,在其上覆盖metal2,扩0.3u
  4. 用metal1连接via和contact,扩0.3u
  5. 在两版图右边的metal1连接起来,然后放一个via,在via放metal2.
  6. 1是contact 2是poly 3是metal1 4是via   或者直接把contact打在poly上 然后用metal1连接。

打pin

in out vdd vss 打在metal1 pin上。

一些规则

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转载自www.cnblogs.com/theEndOfSummer/p/12155620.html