单片机设计与开发项目客观试题（30 分）
（1）当MCS-51访问片外的存储器时，其低8位地址由 P0 口提供，高8位地址由 P2 口提供，8位数据由 P0 口提供。
【考点剖析】：考查MCS-51单片机的存储器扩展基础知识，较简单。
51单片机具有64K的存储器扩展空间，也就是有16位的地址总线，其中P2口提供高8位地址，P0口提供低8位地址，而P0口也作为数据总线使用。
（2）当由MCS-51单片机构成的系统正常工作后，在RST引脚附加一个 高 电平，并至少维持 2 个机器周期可令系统复位，复位后各IO口为 高 电平。
【考点剖析】：考查MCS-51的复位基础知识。
51单片机是高电平复位，复位后各IO端口为高电平。在这里要注意分清时钟周期、机器周期和指令周期，1个机器周期为12个时钟周期。
（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ A ）。
A. 增大
B. 减小
C. 保持不变
D. 与温度没有直接关系
【考点剖析】：考查半导体的工作机理。
反向饱和电流由二极管中少子的漂移运动产生的，这些少子是由于半导体的热激发脱离共价键而产生的，温度越高，获得能量脱离束缚的电子就越多，少子也就越多，饱和电流就越大。
（4）下列哪个C51关键字能够将数据存储在程序存储器中（ D ）。
A. xdata
B. idata
C. bdata
D. code
【考点剖析】：考查C51的基础知识，简单。
xdata--外部数据存储器。
idata--间接寻址的内部数据存储器。
bdata--可位寻址的内部数据存储器。
cade--程序存储器。
（5）设计一位8421码计数器至少需要（ B ）个触发器。
A. 3
B. 4
C. 5
D. 8
【考点剖析】：考查数字电路基础知识，有点难度。
（6）已知如图所示共阴数码管，令数码管显示 ’F’ 的编码是（ B ）
A. 0xC8 B. 0x71
C. 0xD9 D. 0xE2
【考点剖析】：考查数码管的基础知识，简单。
对于共阴数码管，高电平点亮相应的段码，要显示 'F' 则要将AEFG四个段码点亮，自己画一下就可以得到答案。按照高位到位排序顺序：
DP-G-F-E-D-C-B-A
即：0111 0001，0x71。
（7）为了使高阻信号源与低阻负载进行配合，在设计电路过程中往往需要进行阻抗匹配， 以下哪种电路适合接入高阻信号源与低阻负载之间（ C ）。
A. 共射电路
B. 共基电路
C. 共集电路
D. 以上都可以
【考点剖析】：考查模拟电路基础知识，难度很大。
共集电路是输入电阻最大，输出电阻最小的电路，并具有电压跟随的特点。
（8）在C51中以下哪种数据类型能够表达的数值最大（ D ）。
A. char
B. long
C. int
D.float
【考点剖析】：考查C51的基础知识，不简单。
long和float均为4个字节，但表示的范围有所不同。
long：-2147483648~+2147483647
float：3.40E+38 ~ +3.40E+38
（9）电路原理图如下图所示，以下哪个选项能够正确表达输入与输出之间的关系（ B ）。
A. U0=U1+U2*R1/R2
B. U0=U1+U2*R2/R1
C. U0=U1*R2/R1+U2
D. U0=U1*R1/R2+U2
【考点剖析】：考查集成运放基础知识，同向加法电路的基本原理推算，有一定难度。
（10）关于MCS-51单片机，以下说法中错误的有（ B D）。
A. 单片机数据存储器和程序存储器扩展到最大范围是一样的。
B. 串口数据发送和接收缓冲器均为SBUF，不能够同时发送和接收数据。
C. 为消除按键产生的抖动，可以采用软件和硬件两种办法。
D. 单片机上电复位后，片内数据存储器的内容均为00H。
【考点剖析】：考查MCS-51单片机基础知识。
在MCS-51单片机中，串行口中有两个缓冲寄存器SBUF，一个是发送寄存器，一个是接收寄存器，字节地址均为99H，但在物理结构上是完全独立的，可以同时发送和接收数据。
单片机复位操作使单片机进入初始化状态。初始化后，程序计数器PC为0000H，程序成0000H地址单元开始执行。上电复位是冷启动，片内数据存储器为随机值，特殊功能寄存器为固定值，其中P0~P3为FFH，相当于各IO端口为高电平，堆栈指针SP为07H，其他为00H。